[实用新型]驻极体麦克风

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驻极体麦克风，尤其涉及一种应用于移动便携通信设备的驻极体麦克风。

背景技术

在手机等移动便携通信设备快速发展的过程中，作为移动便携通信设备的必要元件之一的麦克风，被寄予越来越高的要求。

同时，射频技术（Radio Frequency Identification，RFID）及其应用正处于迅速上升的时期，被业界公认为是本世纪最具潜力的技术之一，它的发展和应用推广将是自动识别行业的一场技术革命。RFID射频识别是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。

现有驻极体麦克风通常具有由一个电阻及一个电容组成的低通滤波器，这种结构能抑制射频（200MHz—2GHz）干扰，但是当麦克风在强辐射场中工作时，其抑制射频干扰的能力还不能满足客户的需求。

因此，有必要针对上述问题提供一种新的驻极体麦克风。

实用新型内容

本实用新型的目的在于设计一种抗射频干扰能力更优的驻极体麦克风。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种驻极体麦克风，其包括外壳、收容于外壳内的振膜组、与振膜组相连的垫片、与垫片相连的背极座、收容于背极座的背极板和连接环以及盖接于外壳的电路板，所述驻极体麦克风包括声电信号转换模块、场效应管以及滤波电路，所述声电信号转换模块一端连接所述场效应管的栅极，另一端接地，所述场效应管的源极接地，所述场效应管的漏极连接所述滤波电路，所述滤波电路包括一个电阻、一个第一电容以及一个第二电容。

更优的，所述场效应管的漏极与所述电阻串联，所述电阻与所述场效应管的源极之间分别并联有第一电容以及第二电容。

更优的，所述电路板包括第一电路板及第二电路板，所述第一电路板与第二电路板之间设置有接地铜箔层。

更优的，所述接地铜箔层通过电路板层压工艺内置于所述第一电路板与第二电路板之间。

相较于现有技术，本实用新型驻极体麦克风采用由一个电阻和两个电容组成的低通滤波器，通过调整电阻值和电容值的搭配可极大地提高麦克风的抗射频干扰能力，同时，在电路板中增设接地铜箔层，能有效降低射频信号，最终使麦克风的抗射频干扰能力达到最优。

附图说明

图1为本实用新型驻极体麦克风的内部结构示意图；

图2为本实用新型驻极体麦克风的电路图；

图3为本实用新型驻极体麦克风的抗射频干扰能力的测试数据；

图4为现有技术的驻极体麦克风的抗射频干扰能力的测试数据。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型受话器进行说明。

如图1所示，本实用新型驻极体麦克风1包括外壳10、收容于外壳10内的振膜组11、与振膜组11相连的垫片12、与垫片12相连的背极座13、收容于背极座13的背极板14和连接环15以及盖接于外壳10的电路板16。所述电路板16包括第一电路板161及第二电路板162，所述第一电路板161与第二电路板162之间设置有接地铜箔层17，所述接地铜箔层17是通过电路板层压工艺内置于所述第一电路板161与第二电路板162之间的。

如图2所示，所述驻极体麦克风1包括声电信号转换模块ECM、场效应管FET以及滤波电路（未标号），所述声电信号转换模块ECM一端连接所述场效应管FET的栅极G，另一端接地，所述场效应管FET的源极S接地，所述场效应管FET的漏极D连接所述滤波电路18，所述滤波电路包括一个电阻R1、一个第一电容C1以及一个第二电容C2。所述场效应管FET的漏极D与所述电阻R1串联，所述电阻R1与所述场效应管FET的源极S之间分别并联有第一电容C1以及第二电容C2。在本实施例中，所述电阻R1的阻值为330Ω，所述第一电容C1的容值为10nf，所述第二电容C2的容值为33pf。

如图3、图4所示，增加了一个容值为33pf的第二电容C2后，所述驻极体麦克风1相较于现有技术的驻极体麦克风，在200MHz到2GHz上的抗射频干扰能力更优。

由于采用由一个电阻和两个电容组成的低通滤波器，通过调整电阻值和电容值的搭配可极大地提高麦克风1的抗射频干扰能力。同时，在电路板16中增设接地铜箔层17，能保证铜箔层最大化，与外壳10形成法拉第笼，避免射频干扰信号干扰驻极体麦克风1内部的敏感部件，从而有效降低射频信号，最终使驻极体麦克风1的抗射频干扰能力达到最优。

以上仅为本实用新型的优选实施案例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。