[实用新型]一种三合一电容结构有效
申请号: | 201220491982.5 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN202840931U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 金红旗;李彦栋 | 申请(专利权)人: | 美的集团股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M7/42 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 528311 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三合一 电容 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种三合一电容结构,特别是一种应用在桥式逆变回路上的三合一电容器。
背景技术
商用电磁炉通常采用半桥或全桥逆变拓扑结构,在高频逆变过程中为了实现开关器件的软开关,通常需要增加吸收电容做缓冲电路,以降低关断时刻的开关损耗。现在的大功率高频电磁感应加热器常用的一种做法是基于IGBT的全桥设计,采用双路驱动技术。全桥设计虽然能输出很高的功率,但是控制电路设计复杂、故障率高,而且成本也高,故一些厂家很多采用单管调谐电路,虽然故障率降低了,但是加热功率和效率也随之降低。
发明内容
本实用新型的目的在于通过一种将吸收电容与高频滤波电容封装为一体化,装配方便,易于生产的三合一电容结构。本实用新型在吸收电容的直流端,直接跨接高频滤波电容,吸收直流母线上的尖峰电压,降低吸收电容与IGBT的温度。
本实用新型的技术方案是:本实用新型的三合一电容结构,包括有电容C1、电容C2、电容C3,电容C1与电容C2组成的串联电路与电容C3并联,且电容C1与电容C2的公共连接点引出第二引脚,并联电路的两端分别引出第一引脚及第三引脚,其中电容C1为单芯子结构,包括有上桥臂吸收电容芯子,电容C2为单芯子结构,包括有下桥臂电容芯子,电容C3为双芯子结构,包括有第一高频滤波电容芯子及第二高频滤波电容芯子,所述第一引脚与上桥臂吸收电容芯子的一端焊接,第一引脚与第一高频滤波电容芯子及第二高频滤波电容芯子的一端焊接;第二引脚与下桥臂吸收电容芯子的一端焊接,第二引脚与第一高频滤波电容芯子及第二高频滤波电容芯子的另一端焊接;第三引脚与下桥臂电容芯子的另一端焊接,第三引脚与上桥臂吸收电容芯子的另一端焊接,电容C1、电容C2、电容C3再整体灌封在外壳中,形成一体化电容。
上述第一引脚与上桥臂吸收电容芯子的一端面通过焊点焊接,第一引脚与第一高频滤波电容芯子及第二高频滤波电容芯子的一端分别通过焊点焊接相连;第二引脚与下桥臂吸收电容芯子的一端通过焊点焊接相连,第二引脚与第一高频滤波电容芯子及第二高频滤波电容芯子的另一端通过焊点焊接相连;第三引脚与下桥臂电容芯子的另一端通过焊点焊接相连,第三引脚与上桥臂吸收电容芯子的另一端通过焊点焊接相连。
上述电容C1、电容C2为吸收电容,电容C3为高频滤波电容。
上述第一引脚、第二引脚、第三引脚与IGBT的管脚一一对应,第一引脚、第二引脚、第三引脚直接并联在IGBT的模块上。
本实用新型由于采用将吸收电容与高频滤波电容封装为一体化的结构,通过内部封装,引出与IGBT管脚一一对应的三根端子,直接并联在IGBT的模块上,具有装配方便,易于生产。同时, 本实用新型在吸收电容的直流端,直接跨接高频滤波电容,高频滤波电容可以有效的吸收直流母线的尖峰电压,有效的降低吸收电容与IGBT的温度。
附图说明
图1为本实用新型的电气原理图;
图2为本实用新型的具体结构示意图;
图3为本实用新型各引脚焊接的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型进一步说明。
本实用新型的三合一电容结构的原理图及结构图如图1、2、3所示,包括有电容C1、电容C2、电容C3,电容C1与电容C2组成的串联电路与电容C3并联,且电容C1与电容C2的公共连接点引出第二引脚2,并联电路的两端分别引出第一引脚1及第三引脚3,其中电容C1为单芯子结构,包括有上桥臂吸收电容芯子4,电容C2为单芯子结构,包括有下桥臂电容芯子5,电容C3为双芯子结构,包括有第一高频滤波电容芯子6及第二高频滤波电容芯子7,所述第一引脚1与上桥臂吸收电容芯子4的一端面焊接,第一引脚1与第一高频滤波电容芯子6及第二高频滤波电容芯子7的一端焊接;第二引脚2与下桥臂吸收电容芯子5的一端焊接,第二引脚2与第一高频滤波电容芯子6及第二高频滤波电容芯子7的另一端焊接;第三引脚3与下桥臂电容芯子5的另一端焊接,第三引脚3与上桥臂吸收电容芯子4的另一端焊接,电容C1、电容C2、电容C3再整体灌封在外壳18中,形成一体化电容。
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