[实用新型]一种改善刻蚀水膜均匀度的装置有效

专利信息
申请号: 201220489669.8 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN202865346U 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 蔡晓晨;刘洪伟;王敬蕊 申请(专利权)人: 国电光伏(江苏)有限公司
主分类号: C23F1/08 分类号: C23F1/08;C30B33/10;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214213 江苏省无锡市宜兴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 刻蚀 均匀 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种太阳能刻蚀过程中的装置,特别是改善刻蚀水膜均匀度的装置。

背景技术

在多晶硅湿法刻蚀中,由于该工艺流程是对于硅片的扩散面进行边缘刻蚀,因而在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径。提高水膜在硅片上覆盖的均匀度,避免因为水膜不均而导致边缘过刻,可以降低电池片的漏电参数。现有技术中,在刻蚀机前端硅片入口处设置喷水器,待刻蚀的硅片在喷上水膜后进入刻蚀机器,但是喷水器喷出的水膜容易在硅片表面形成水滴,而难以均匀得覆盖在硅片表面。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种使水膜均匀地覆盖在硅片表面,改善刻蚀水膜均匀度的装置。

本实用新型的技术方案是这样的:一种改善刻蚀水膜均匀度的装置,其特征在于:该装置包括传送带、塑胶辊和电机,所述塑胶辊设置在传送带上方,塑胶辊两端设有支架,所述电机设置在所述塑胶辊的一端用于驱动塑胶辊转动。

本实用新型所提供的技术方案的优点在于,该装置结构简单,设置在喷水器后,喷水器对待刻蚀的硅片喷水之后,塑料辊压过传送带上的硅片并挤压硅片上的水膜,可以使水膜均匀得覆盖在硅片表面,改善水膜均匀度,进而避免硅片边缘过刻。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为图1的侧视图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但不作为对本实用新型的限定。

请参见图1及图2,改善刻蚀水膜均匀度的装置,该装置包括传送带1、塑胶辊2和电机3,塑胶辊2设置在传送带1上方,塑胶辊2两端设有支架4,电机3设置在所述塑胶辊2的一端用于驱动塑胶辊2转动。该装置结构简单,设置在喷水器后,喷水器对待刻蚀的硅片喷水之后,塑胶辊2压过传送带1上的硅片5并挤压硅片5上的水膜,可以使水膜均匀得覆盖在硅片5表面,改善水膜均匀度,进而避免硅片边缘过刻。

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