[实用新型]一种锂电池系统有效

专利信息
申请号: 201220487886.3 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN202888351U 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 刘浩 申请(专利权)人: 天津市沣文科技发展有限公司
主分类号: H01M10/50 分类号: H01M10/50;H01M10/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300000 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂电池 系统
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及锂电池领域,特别涉及一种能够低温使用的锂电池系统。 

背景技术

锂电池是新一代的储能电源,由锂金属或锂合金作为负极材料,使用非水电解质溶液,广泛应用于当前的各种需要供电的产品设备上,特别是电动汽车领域,锂电池更是最具有实用价值的供电电源。锂电池的技术原理、材料及生产工艺决定了锂电池各项技术特性参数指标受环境温度的影响,影响锂电池的能量密度和充放电次数。尤其在电动汽车的应用领域,锂电池运行温度环境的差异性显著。如果没有相应的控制办法,就会使得锂电池的使用性能大受影响。通常情况下,小于最佳工作温度范围时,环境温度越低,电池内的活性物的活性越低,电解液内阻和粘度越高,离子扩散越难,电池充放电不易进行,严重影响电池使用寿命,使电池使用寿命降低。 

实用新型内容

本实用新型提供一种的锂电池系统,解决了由于环境温度过低影响锂电池的使用寿命的问题。 

实用新型的技术方案是这样实现的:一种的锂电池系统,包括:电源;用于依据设定参数及相应电池温度曲线,对接收的数字信号进行处理,并发出使加热开关开闭指令的微处理器,与电源连接;用于将输入的电压参数转换为数字信号,并将所述数字信号传送至所述微处理器的A/D转换器,与所述微处理器连接;用于将温度参数转换为电压参数,并传送至A/D转换电路的热敏电阻,与所述的A/D转换器连接;电池组,与所述的热敏电阻连接;加热开关,与所述的电源、微处理器连接;加热带,与所述的加热开关连接。 

所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。 

所述加热开关的主连接开关为采用P沟道的MOSFET。 

本实用新型的锂电池系统,A/D转换器与电池组连接,接收模拟信号的输入,转换为数字信号,并传送至微处理器;微处理器依据设定参数及相应电池温度曲线,对接收的数字信号进行处理,并发出指令;加热开关根据微处理器发出的指令开闭。采用该实用新型的锂电池系统,能维持锂电池的最佳工作温度,因此该锂电池系统能够低温使用,减少外界环境对锂电池的影响,延长锂电池 的使用寿命。 

附图说明

图1为本实用新型锂电池系统结构原理示意图。 

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。 

如图1所示,本实施例提供一种的锂电池系统,包括:电源1;用于依据设定参数及相应电池温度曲线,对接收的数字信号进行处理,并发出使加热开关开闭指令的微处理器2,与电源1连接;用于将输入的电压参数转换为数字信号,并将所述数字信号传送至所述微处理器的A/D转换器3,与所述微处理器2连接;用于将温度参数转换为电压参数,并传送至A/D转换电路的热敏电阻4,与所述的A/D转换器3连接;电池组5,与所述的热敏电阻4连接;加热开关6,与所述的电源1、微处理器连接2;加热带7,与所述的加热开关6连接。 

热敏电阻4为负温度系数热敏电阻,当温度下降时电阻值增大。 

加热开关6的主连接开关为采用P沟道的MOSFET,MOSFET是金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。加热开关按照微处理发出的指令经控制用驱动电路开始其导通断开,实现加热源的连接及断开。 

本实施例的锂电池系统工作过程是这样的:当环境温度过低时,热敏电阻的电阻值增大,热敏电阻将温度参数转换为电压参数,该电压参数被A/D转换器接收,A/D转换器将电压参数转换为数字信号,微处理器对接收的数字信号进行处理,依据设定参数及相应电池温度曲线,发出指令使加热开关导通,加热带开始给电池组加热,采用该实用新型的锂电池系统,能维持锂电池的最佳工作温度。因此该锂电池系统能够低温使用,减少外界环境对锂电池的影响,延长锂电池的使用寿命。 

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。 

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