[实用新型]电平移动电路有效
| 申请号： | 201220485351.2 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN202798655U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王晓娟;余力;周晓东 | 申请（专利权）人： | 郑州单点科技软件有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平 移动 电路 | ||
1.一种电平移动电路，其特征在于，包括第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）、第六PMOS管（P6）、第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）和第四NMOS管（N4）；
所述第一PMOS管（P1）的源极连接电压源（VDD），漏极连接第二PMOS管（P2）的源极，栅极与第四PMOS管（P4）的漏极、第二NMOS管（N2）的漏极、第五PMOS管（P5）的栅极和第三NMOS管（N3）的栅极连接；第二PMOS管（P2）的栅极连接第一NMOS管（N1）的栅极和第二同相信号端（TURE2），漏极与第一NMOS管（N1）的漏极、第六PMOS管（P6）的栅极、第四NMOS管（N4）的栅极和第三PMOS管（P3）的栅极连接；第三PMOS管（P3）的源极和栅极分别连接电压源（VDD）和第四PMOS管（P4）的源极；第四PMOS管（P4）的漏极连接第二NMOS管（N2）的漏极，栅极连接第二NMOS管（N2）的栅极和第一方向信号端（BAR1）；第五PMOS管（P5）的源极连接电压源（VDD），漏极连接第三NMOS管（N3）的漏极和第二反相信号端（BAR1）；第六PMOS管（P6）的漏极连接第四NMOS管（N4）的漏极和第一同相信号端（TURE1）；
所述第一NMOS管（N1）的源极、第二NMOS管（N2）的源极、第三NMOS管（N3）的源极和第四NMOS管（N4）的源极均接地（GND）。
2.根据权利要求1所述的电平移动电路，其特征在于，所述第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第五PMOS管（P5）和第六PMOS管（P6）为参数相同的PMOS管。
3.根据权利要求1所述的电平移动电路，其特征在于，所述第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）和第四NMOS管（N4）为参数相同的NMOS管。
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