[实用新型]限流电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种限流电路。

背景技术

在一些便携式电子电路中，部分的电路所需电流较小，因此就需要对电流进行限制。现有技术的限流电路一般是通过双极型晶体管和/或电阻构建限流限流电路。这种限流电路自身的功耗较大，在集成电路里双极型晶体管和/或电阻在半导体集成电路里面所占面积较大，不利于集成电路的应用。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种限流电路。

本实用新型采用的技术方案是这样的：一种限流电路，包括电压源、输入端和输出端，还包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、电阻、恒流源和NPN晶体管；所述电压源与第一PNP晶体管的源极和第二PNP晶体管的源极连接，以及通过电阻连接至第一PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的漏极；所述输入端连接至第一PMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的栅极；第二PMOS晶体管与NMOS晶体管的栅极，并通过恒流源连接至输出端；所述NPN晶体管的源极连接至输出端。

在上述的电路中，所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，自身功耗小，适用于集成电路中应用。

附图说明

图1是本实用新型限流电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，是本实用新型限流电路的电路原理图。

本实用新型的一种限流电路，包括电压源VDD、输入端IN和输出端OUT，还包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、电阻R1、恒流源I1和NPN晶体管N1；所述电压源VDD与第一PNP晶体管P1的源极和第二PNP晶体管P2的源极连接，以及通过电阻R1连接至第一PMOS晶体管P1的栅极和NMOS晶体管N1的漏极；所述输入端IN连接至第一PMOS晶体管P1的漏极和第二PMOS晶体管P2的栅极；第二PMOS晶体管P2与NMOS晶体管N1的栅极，并通过恒流源I1连接至输出端OUT；所述NPN晶体管N1的源极连接至输出端OUT。

在上述电路中，所述第一PMOS晶体管P1和第二PMOS晶体管P2为参数相同的PMOS晶体管。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。