[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。 

背景技术

在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列结构中，常以氮化硅(SiNx)作为栅绝缘层，且栅绝缘层形成于栅电极和源漏信号电极之间，由于氮化硅本身介电常数较高，使得栅绝缘层电容较高，因此可有效提升充电电流值，缩短充电时间。但是，较高的充电电流值会使栅电极和源漏信号电极之间的电容变得较大，该电容直接影响显示屏的功耗，从而使得显示屏的耗电量明显变大；同时，以氮化硅(SiNx)为栅绝缘层，其平坦性较差，凹凸不平的表面对后端的对盒工艺中的液晶取向工艺造成较大的影响，使得液晶取向紊乱，易造成显示异常。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置，能防止充电电流损失的同时降低功耗，且能使底层平坦化。 

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的： 

本实用新型提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层和像素电极，其中，所述氧化物薄膜晶体管中包括采用非感光型有机树脂形成的栅绝缘层。 

这里，所述非感光型有机树脂包括主链上含有Si-C和/或Si-O结构的非感光型有机树脂； 

所述非感光型有机树脂形成的栅绝缘层具有平坦化的表面结构； 

所述钝化层为采用的材料包括氮化硅、有机树脂材料中至少一种的钝化层； 

所述氧化物薄膜晶体管包括：栅电极、形成于所述栅电极上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的源信号电极、漏信号电极以及沟道；或者， 

所述氧化物薄膜晶体管包括：源信号电极、漏信号电极和沟道，以及形成于所述源信号电极、漏信号电极和沟道上的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层上的栅绝缘层、形成于所述栅绝缘层上的栅电极。 

本实用新型还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本实用新型公开的任意一种的阵列基板。 

本实用新型所提供的阵列基板，具有以下的优点和特点： 

本实用新型中的栅绝缘层采用主链上含有Si-C和/或Si-O结构的非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性。 

另外，虽然本实用新型采用的非感光型有机树脂的介电常数比较低，会影响阵列基板的充电电流，但是，通过采用氧化铟锡材料制作氧化物半导体层，可有效弥补充电电流的损失；且由于非感光型有机树脂材料中不含H元素，因此，可较好地防止氧化物薄膜晶体管充电电流的特性变差。 

附图说明

图1为实施例1阵列基板的组成结构示意图； 

图2为实施例2阵列基板的组成结构示意图。 

附图标记说明 

1、衬底基板，2、栅电极，3、栅绝缘层，4、氧化物半导体层，5、源漏信号电极层，5a、源信号电极，5b，漏信号电极，6、钝化层，7、过孔，8、像素电极，9、沟道 

具体实施方式

下面将结合具体实施例及附图对本实用新型的实施方式进行详细描述。 

实施例1 

图1为实施例1阵列基板的组成结构示意图，如图1所示，所述阵列基板包括：衬底基板1、形成于所述衬底基板上的氧化物薄膜晶体管，以及钝化层6和像素电极8；其中，所述氧化物薄膜晶体管中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂形成。 

本实用新型所述阵列基板中的栅绝缘层采用非感光型有机树脂材料代替氮化硅材料，如此，一方面，由于非感光型有机树脂材料的介电常数较氮化硅材料的介电常数低，可有效降低显示屏功耗；另一方面，由于有机树脂材料为平坦化、均匀性好的材料，可有效改善栅绝缘层凹凸不平的现象，使得栅绝缘层平坦化，进而使阵列基板整体平坦，提高后续工艺的可控性，例如可以大幅度降低液晶器件制造过程中的对盒摩擦(cell rubbing)工艺的端差，提升产品特性。