[实用新型]一种开关电源电路的静电释放保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源，特别是涉及一种开关电源电路的静电释放保护电路。

背景技术

现有发射极驱动的开关电源电路在功率开关管处于截止状态时，功率开关管的集电极与基极之间的结电容的容量会影响静电释放(Electro-Static discharge，缩略词为ESD)效果。在测试条件为V_CB＝10V时，如果选用结电容小于15pF的功率开关管，可以确保结电容不会影响ESD效果。如果功率开关管结电容大于或等于15pF，结电容就成为ESD的放电通路，ESD通过结电容以及低压控制集成电路(Integrated Circuit，缩略词为IC)的供电端VDD形成放电通路，损坏低压控制IC。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种开关电源电路的静电释放保护电路。

本实用新型的技术问题通过以下技术方案予以解决。

这种开关电源电路的静电释放保护电路，所述开关电源电路包括变压器、功率开关管以及电源控制电路的，所述电源控制电路包括启动电路、供电电路、驱动电路以及低压控制IC，所述启动电路包括启动电阻和启动电容，所述启动电阻和所述启动电容的连接点与所述低压控制IC的电源端连接，所述供电电路包括所述变压器的供电线圈和供电整流二极管，所述变压器的供电线圈的一端与所述供电整流二极管的一端连接，所述变压器的供电线圈的公共地端和所述启动电容的一端以及所述低压控制IC的公共地端连接，所述供电整流二极管的另一端与所述低压控制IC的电源端连接，所述驱动电路包括并联连接的驱动电阻和驱动二极管，所述驱动电路的一端与所述功率开关管的基极连接，所述驱动电路的另一端与所述低压控制IC的电源端连接，所述功率开关管的集电极与所述变压器的原边线圈的一端连接，所述功率开关管的发射极与所述低压控制IC的输出端连接，所述功率开关管的集电极和基极之间的结电容是ESD第一放电通路，所述供电整流二极管是ESD第二放电通路。

这种开关电源电路的静电释放保护电路的特点是：

在ESD第一放电通路、第二放电通路中分别相应设置第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，用于阻断ESD到低压控制IC之间的通路，且提供ESD至所述变压器的供电线圈的公共地端的放电通路。

本实用新型的技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。

所述第一ESD保护电路是由第一保护二极管和第一保护电容组成的Γ型电路，设置在所述驱动电路的另一端与所述低压控制IC的电源端之间，其中所述第一保护二极管的一端与所述驱动电路的另一端连接，所述第一保护二极管的另一端与所述低压控制IC的电源端连接，所述第一保护电容的一端与所述驱动电路的另一端连接，所述第一保护电容的另一端与所述低压控制IC的公共地端连接。

所述第一ESD保护电路是由第一保护电阻和第一保护电容组成的Γ型电路，设置在所述驱动电路的另一端与所述低压控制IC的电源端之间，其中所述第一保护电阻的一端与所述驱动电路的另一端连接，所述第一保护电阻的另一端与所述低压控制IC的电源端连接，所述第一保护电容的一端与所述驱动电路的另一端连接，所述第一保护电容的另一端与所述低压控制IC的公共地端连接。采用第一保护电阻替代第一保护二极管，可以降低电路成本。

所述第二ESD保护电路是由第二保护电阻和第二保护电容组成的反Γ型电路，设置在所述供电整流二极管的另一端与所述低压控制IC的电源端之间，其中所述第二保护电阻的一端与所述低压控制IC的电源端连接，所述第二保护电阻的另一端与所述供电整流二极管的另一端连接，所述第二保护电容的一端与所述供电整流二极管的另一端连接，所述第二保护电容的另一端与所述低压控制IC的公共地端连接。

本实用新型的技术问题通过以下再进一步的技术方案予以解决。

在测试条件为V_CB＝10V时，如果所述功率开关管的集电极和基极之间的结电容的容量大于或等于15pF，ESD通过所述结电容形成放电通路。

在测试条件为V_CB＝10V时，如果所述功率开关管的集电极和基极之间的结电容的容量小于15pF，ESD不能通过所述结电容形成放电通路。

本实用新型与现有技术相比的有益效果是：

本实用新型为半导体器件及低压控制IC提供ESD保护电路，在ESD放电通路中有效阻断ESD与低压控制IC之间的通路，同时提供直接至变压器的供电线圈的公共地端的ESD放电通路，从而避免低压控制IC受到ESD损坏，有效确保开关电源电路可靠工作。

附图说明