[实用新型]一种太阳能电池片有效

专利信息
申请号: 201220452454.9 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN202772143U 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 林朝晖;王树林 申请(专利权)人: 泉州市博泰半导体科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 泉州市博一专利事务所 35213 代理人: 方传榜
地址: 362000 福建省泉州市鲤城区高*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电池片,特别是指一种太阳能电池片。

背景技术

参照图2,太阳能电池包括起基本支撑作用的太阳能电池片以及连接设于电池片表面的电极,电池片产生的电流通过电极导出。为了降低功率损耗,通过减少电流的经过路程的方法,使太阳能电池的电极多为呈栅网图案的栅线电极,栅线电极包括横向设置的子栅线(finger)和纵向设置的母栅线(busbar),子栅线和母栅线交叉连接为一体;电流产生体吸收阳光,并将光能转化为电能,产生的电流汇集到子栅线上,子栅线再将电流汇集到纵向布置的母栅线上并由母栅线汇集流出。

现有的太阳能电池的栅线电极多是通过印刷法将低温银浆按一定的图案印制在电池片表面上,再烘干形成栅线电极。通过该方法在制备完成太阳能电池表面没有什么保护措施,而电池片受力又容易破碎,这就使得移动、存放、运输时对太阳能电池的保护存在较大的困难。

发明内容

本实用新型提供一种一种太阳能电池片,以克服现有技术中存在的太阳能电池表面没有保护措施,受力容易破碎,移动、存放、运输时对太阳能电池的保护存在较大的困难的问题。

本实用新型采用如下技术方案:

一种太阳能电池片,包括硅太阳能电池片以及固定连接于电池片表面的栅线电极,电池片表面除栅线电极之外的区域固结地连设有透明绝缘膜层;硅太阳能电池片包括单晶硅太阳能电池片、多晶硅太阳能电池片太阳能电池片。该一种太阳能电池片的制备包括下述两种方法:

方法一

该种硅太阳能电池片的制备包括下述步骤:

A.装模:在电池片的表面上压装一与所需栅线电极相应的栅格模架,该栅格状模架底面紧贴电池片表面;

B.涂布:在栅格模架的模腔内填充透明绝缘材料,使该电池片表面均匀涂覆有透明绝缘膜层;

C.拆模:拆除栅格模架,形成电池片表面暴露的栅线网路;

D.烘干:对透明绝缘膜层进行烘干处理,使透明绝缘膜层与电池片固结在一起;

E.电镀:采用电镀法在栅线网路上镀上作为栅线电极的导电材料,形成太阳能电池栅线电极,该栅线电极连接于电池片表面上。

更进一步地,上述步骤C完成后步骤D开始前,在电池片的另一个表面上重复步骤A至C,使电池片的两个表面上都涂覆有透明绝缘膜层。

方法二

该种硅太阳能电池片的制备包括下述步骤:

A.涂布:在电池片的表面上均匀涂布透明绝缘材料制成的透明绝缘膜层;

B.烘干:对透明绝缘膜层进行烘干处理,使透明绝缘膜层与电池片固结在一起;

C.刻画网路:采用激光刻画或者机械刻画方法去除栅线网路上的绝缘材料,形成电池片表面暴露的栅线网路;

D.电镀:采用电镀法在栅线网路上镀上作为栅线电极的导电材料,形成太阳能电池栅线电极,该栅线电极连接于电池片表面上。

更进一步地,上述步骤B完成后步骤C开始前,在电池片的另一个表面上重复步骤A、B,使电池片的两个表面上都涂覆有透明绝缘膜层。

上述透明绝缘材料为硅胶或者绝缘高分子材料,绝缘高分子材料如EVA或者PE或者PET等。

上述透明绝缘膜层厚度为2~30微米;上述栅线电极厚度为2~30微米。

上述太阳能电池栅线电极为铜栅。

另外,如果上述电池片包含TCO层(TCO是Transparent Conductive Oxide的简称,是指透明的导电氧化物薄膜),则在制备上述的一种太阳能电池片时,由于铜元素会透过TCO层渗透到电池片的P-N结及硅片中,使得电池片的光转换效率较大程度的降低,为此,上述两种方案在实施电镀步骤前,在栅线网路上可以先覆盖一层金属阻挡薄层,该金属阻挡薄层可以由Cr、Ni、Ti、TiN或者TiW等材料中的一种或者几种的组合制成。

由上述对本实用新型描述可知,和现有技术相比,本实用新型具有如下优点:设置的透明绝缘材料可以很好地保护电池片,增强了电池片抗压能力,降低了生产完成的硅太阳能电池在移动、运输、存储时受力而破损的发生率,提高产品的使用寿命。

附图说明

图1为太阳能电池结构示意图。

图2为太阳能电池横截面结构示意图。

具体实施方式

下面参照附图说明本实用新型的具体实施方式。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州市博泰半导体科技有限公司,未经泉州市博泰半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220452454.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top