[实用新型]一种电平转换电路

说明书

技术领域

本实用新型属于电子电路设计领域，尤其涉及一种电平转换电路。

背景技术

目前的控制芯片越来越趋向于小体积和低功耗，使得控制芯片的工作电压也越来越低，在进行电路设计时，时常会出现控制芯片与传统的接口芯片电平不匹配的问题。

为此，现有技术提出了两种电平转换方式：一种是采用具有电平转换功能的集成芯片，这种集成芯片可实现高速电平转换，但造价高、所占用的板面面积较大、使用不灵活、且功耗较大；另一种是采用利用金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)作为电平转换开关的、由分立元器件构成的电路，这种电路的成本低，但由于MOSFET本身寄生电容较大，在电平转换时充放电所需的时间较长，无法实现数据传输速度大于400k/s的高速电平转换。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电平转换电路，旨在实现高速电平转换。

本实用新型是这样实现的，一种电平转换电路，所述电平转换电路连接在第一电平电路和第二电平电路之间，所述电平转换电路包括：

采用三极管作为电平转换开关的电平转换开关电路，所述电平转换开关电路的第一端连接所述第一电平电路的输入/输出第一电压值的电平输入/输出端，所述电平转换开关电路的第二端连接所述第二电平电路的输入/输出第二电压值的电平输入/输出端，且所述第一电压值高于所述第二电压值；

第一上拉电路，所述第一上拉电路的输出端连接所述第一端；以及

第二上拉电路，所述第二上拉电路的输出端连接所述第二端。

其中，所述电平转换开关电路可以包括：NPN型的三极管Q1、电阻R3、电阻R4、电源V1；

所述三极管Q1的集电极作为所述第一端连接所述第一电平电路的电平输入/输出端和所述第一上拉电路的输出端，所述三极管Q1的发射极连接所述电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端作为所述第二端连接所述第二电平电路的电平输入/输出端和所述第二上拉电路的输出端，所述三极管Q1的基极通过所述电阻R4连接所述电源V1的正极，所述电源V1的负极接地。

其中，所述第一上拉电路可以包括：电阻R1和恒压源VS1；

所述恒压源VS1的负极接地，所述恒压源VS1的正极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端作为所述第一上拉电路的输出端连接所述第一端。

其中，所述第二上拉电路可以包括：电阻R2和恒压源VS2；

所述恒压源VS2的负极接地，所述恒压源VS2的正极连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端作为所述第二上拉电路的输出端连接所述第二端。

本实用新型的另一目的在于，还提供了一种电平转换电路，所述电平转换电路连接在第一电平电路和第二电平电路之间，所述电平转换电路包括：

采用三极管作为电平转换开关的电平转换开关电路，所述电平转换开关电路的第一端连接所述第一电平电路的输入/输出第一电压值的电平输入/输出端，所述电平转换开关电路的第二端连接所述第二电平电路的输入/输出第二电压值的电平输入/输出端，且所述第二电平电路自带有一上拉电阻，所述第一电压值高于所述第二电压值；以及

第一上拉电路，所述第一上拉电路的输出端连接所述第一端。

此时，所述电平转换开关电路可以包括：NPN型的三极管Q1、电阻R3、电阻R4、电源V1；

所述三极管Q1的集电极作为所述第一端连接所述第一电平电路的电平输入/输出端和所述第一上拉电路的输出端，所述三极管Q1的发射极连接所述电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端作为所述第二端连接所述第二电平电路的电平输入/输出端，所述三极管Q1的基极通过所述电阻R4连接所述电源V1的正极，所述电源V1的负极接地。

所述第一上拉电路可以包括：电阻R1和恒压源VS1；

所述恒压源VS1的负极接地，所述恒压源VS1的正极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端作为所述第一上拉电路的输出端连接所述第一端。

本实用新型的另一目的在于，还提供了一种电平转换电路，所述电平转换电路连接在第一电平电路和第二电平电路之间，所述电平转换电路包括：