[实用新型]一种新型高温反向偏压测试机

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体分立元器件可靠性测试设备领域，尤其是一种新型高温反向偏压测试机。

背景技术

高温反向偏压测试机的作用是对二极管、MOSFET、三极管、IGBT或可控硅原件进行测试的装置，主要是高温环境下在上述元件器的两端加上反向偏压，以测试各元器件可靠性，同时检测高温漏电流等参数。其主要结构如图9所示：包括高温测试箱1、电源模块、保护模块、漏电流测量模块和工控机，待测元件2安装在高温测试箱内的老化板上且其两端与电源模块、保护模块和漏电流测试模块串联，漏电流测量模块的输出端通过485通讯协议连接工控机的串口。

上述保护模块使用电阻或电阻丝，其中的保险丝最小规格且最常用的为100mA，但是待测元件的最大允许电流一般为较小的微安级或毫安级，所以当待测元件完全烧毁后保险丝才会起作用，这会导致待测元件每次失效的模式一样，均为烧毁，使用电阻的结果也与保险丝一样。

所以，现有的测试机中的待测元件失效均一样，无法为后续的失效分析提供更加有用的资料，而且现有的测试机无法计算出待测元件的结温Tj，致使很多实验在做测试时，基本上别人怎么做，自己怎么做，降低了实验结果的准确性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供可精确控制电流且能计算待测元件结温的一种新型高温反向偏压测试机。

本实用新型采取的技术方案是：

一种新型高温反向偏压测试机，包括高温试验箱箱、电源模块、保护模块、漏电流测量模块、温控模块和工控机，高温测试箱内安装的待测元件与电源模块、保护模块和漏电流测量模块串联，漏电流测量模块的输出端连接工控机的串口模块，温控模块安装在高温试验箱上，其特征在于：所述待测元件与保护模块之间串联连接一电子开关模块，该电子开关模块的控制端通过一单片机模块连接所述工控机的串口模块。

而且，所述电子开关模块为继电器，该继电器的线圈的一端连接Vcc，另一端连接单片机模块的输入/输出接口，该继电器的常开触点串联在待测元件和保护模块之间。

而且，所述继电器为电磁继电器、干簧继电器或湿簧继电器。

而且，所述电子开关模块为三极管，该三极管的集电极和发射极分别与待测元件和保护模块连接，该三极管的基极连接单片机模块的输入/输出接口。

而且，所述电子开关模块为IGBT，该IGBT的集电极和发射极分别与待测元件和保护模块连接，该IGBT的栅极连接单片机模块的输入/输出接口。

而且，所述电子开关模块为MOSfet，该MOSfet的漏极和源级分别与待测元件和保护模块连接，该MOSfet的栅极连接单片机模块的输入/输出接口。

而且，所述电子开关模块为可控硅，该可控硅的阳级和阴极分别与待测元件和保护模块连接，该可控硅的控制级连接单片机模块的输入/输出接口。

而且，所述电源模块的输出端连接工控机的串口模块。

而且，所述温控模块连接工控机的串口模块。

本实用新型的优点和积极效果是：

本实用新型中，利用继电器、三极管、IGBT、MOSFET或可控硅这些元器件的特性，将工控机预先设定的电流和漏电流测量模块的输出进行比较，然后由工控机控制单片机模块驱动上述元器件的通断，实现了待测元件所在回路的通断，使待测元件不会进一步烧毁，为失效分析工程师提供了接近完好的材料，便于数据分析，而且工控机可计算出待测元件不同温度条件下的结温。

附图说明

图1是本实用新型采用继电器进行二极管测试的结构示意图；

图2是本实用新型采用继电器进行IGBT测试的结构示意图；

图3是本实用新型采用继电器进行MOFSET测试的结构示意图；

图4是本实用新型采用继电器进行三极管测试的结构示意图；

图5是本实用新型采用IGBT进行二极管测试的结构示意图；

图6是本实用新型采用MOFSET进行IGBT测试的结构示意图；

图7是本实用新型采用MOFSET进行MOFSET测试的结构示意图；

图8是本实用新型采用三极管进行三极管测试的结构示意图；

图9是现有技术的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例，对本实用新型进一步说明，下述实施例是说明性的，不是限定性的，不能以下述实施例来限定本实用新型的保护范围。