[实用新型]一种薄膜烧蚀传感器有效
| 申请号： | 201220445148.2 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN202814904U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 景涛;王玉明;程文进;王栋;何峰;任伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 传感器 | ||
1.一种薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述薄膜烧蚀传感器（1）包括基底（2），设于基底（2）上的过渡层（3），设于过渡层（3）上的烧蚀电阻（4）；所述烧蚀电阻（4）上设有保护膜（6）；所述烧蚀电阻（4）是由两个以上的电阻构成的电阻序列；所述电阻包括引线焊接盘区（5）；所述引线焊接盘区（5）通过引线（10）与转接板（13）连接。
2.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述基底（2）上设有高度调节孔（9）。
3.如权利要求2所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述高度调节孔（9）为1.6mm×10mm 通孔。
4.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述基底（2）材料为硅片、Al2O3陶瓷、硼硅玻璃中的至少一种；所述过渡层（3）材料为Ta2O5；所述保护膜（6）为电介质材料。
5.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述基底（2）直径为50mm～150mm，厚度0.5mm～1mm；所述过渡层（3）厚度为0.05μm～0.1μm；所述烧蚀电阻（4）厚度为0.2μm～0.5μm；所述保护膜（6）厚度为0.1μm~0.2μm。
6.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述烧蚀电阻（4）材料为Au。
7.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述烧蚀电阻（4）的多列电阻彼此间隔≤500μm。
8.如权利要求1所述的薄膜烧蚀传感器，其特征在于，所述保护膜（6）材料为SiO2。
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