[实用新型]发光器件的像素电路和显示装置有效
申请号: | 201220443910.3 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN202796001U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 王颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 像素 电路 显示装置 | ||
1.一种发光器件的像素电路,其特征在于,该电路包括:列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线;其中,
所述开关晶体管的源极连接所述列数据线,栅极连接所述行扫描线,漏极连接所述第一存储电容的第一端,所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端;
所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端,栅极连接所述第一存储电容的第一端,漏极连接所述OLED的第一端;
所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端,栅极连接所述发光控制线,漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端,第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线,漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。
2.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路,其特征在于,还包括第二存储电容,其第一端连接所述开关晶体管的漏极,第二端连接所述第一存储电容的第一端。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件的像素电路,其特征在于,还包括第三补偿晶体管,其源极连接所述驱动晶体管的漏极,栅极连接所述发光控制线,漏极连接所述第二补偿晶体管的源极。
4.根据权利要求3所述的发光器件的像素电路,其特征在于,所述第三补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件的像素电路,其特征在于,还包括初始化晶体管、初始化线和参考电源;
所述初始化晶体管的源极连接所述参考电源,栅极连接所述初始化线第一端,漏极连接所述第一存储电容的第一端;所述初始化线第二端连接信号发生器,提供初始化信号,用以电路状态的初始化。
6.根据权利要求5所述的发光器件的像素电路,其特征在于,所述初始化晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。
7.根据权利要求1或2所述的发光器件的像素电路,其特征在于,还包括第四补偿晶体管,所述第四补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线,源极连接所述驱动晶体管的栅极,漏极连接所述驱动晶体管的漏极,用于向第一存储电容预先存入所述驱动晶体管的阈值电压。
8.根据权利要求4所述的发光器件的像素电路,其特征在于,所述第四补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。
9.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为P型薄膜晶体管TFT,所述OLED的第一端为OLED的阳极,所述OLED的第二端为OLED的阴极,所述电源线第一端的电压比所述电源线第二端的电压高;或者,
所述驱动晶体管为N型薄膜晶体管TFT,所述OLED的第一端为OLED的阴极,所述OLED的第二端为OLED的阳极,所述电源线第一端的电压比所述电源线第二端的电压低。
10.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路,其特征在于,所述开关晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。
11.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路,其特征在于,所述第一存储电容和所述第二存储电容的电容值的量级在10-13f。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置中包括权利要求1~11任一权项所述的发光器件的像素电路。
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