[实用新型]石英方坩埚

说明书

技术领域

本实用新型涉及光伏材料制备技术领域，尤其涉及一种石英方坩埚。

背景技术

多晶硅铸锭用于生产多晶硅片，多晶硅片则用于生产太阳能电池。

现有的多晶硅铸锭制备方法为：将一定数量的多晶硅料装入石英方坩埚之后，将石英方坩埚放置在多晶硅铸锭炉的炉膛中央，再在真空状态和保护气氛下对石英方坩埚中的多晶硅料进行加热、熔化、定向长晶、退火、冷却等工艺处理后形成定向凝固的多晶硅铸锭。

上述的石英方坩埚主要用于在G5及G6生长工艺中制备多晶硅铸锭。G5生长工艺可以将多晶硅铸锭切割为25(5*5)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，G6生长工艺可以将多晶硅铸锭切割为36(6*6)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭。

随着市场发展的需求，多晶硅铸锭的生长工艺技术已经逐渐发展为G7生长工艺，需要把多晶硅铸锭切割为49(7*7)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，而现有的石英方坩埚不能满足G7生长工艺的需求。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种石英方坩埚，可以满足多晶硅铸锭G7生长工艺的需求。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种石英方坩埚，具有正方形的底壁及四个侧壁，所述侧壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的内外表面均为正方形，所述底壁内表面的边长为1130mm至1190mm，所述侧壁内表面的高度为420mm至600mm。

优选地，所述侧壁的顶端至底端厚度不同并逐渐增加，所述侧壁的顶端厚度为10mm至30mm，所述侧壁的底端厚度为20mm至40mm。

优选地，所述侧壁的顶端至底端厚度相同，所述侧壁的厚度为20mm至35mm。

优选地，所述底壁与所述侧壁之间的夹角及相邻的所述侧壁之间的夹角为圆倒角。

本实用新型实施例提供的石英方坩埚中，由于底壁11内表面的边长a为1130mm至1190mm，且侧壁22内表面的高度b为420mm至600mm，因此可以容纳更多的硅晶体，从而能够生产出更大的多晶硅铸锭；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此该多晶硅铸锭能被切割为高度为420mm至600mm的49(7*7)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，满足G7生长工艺的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种石英方坩埚的示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种石英方坩埚的示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，为本实用新型一种石英方坩埚，具有正方形的底壁11及四个侧壁12，侧壁12的外表面垂直于底壁11，底壁11的内外表面均为正方形，底壁11内表面的边长a为1130mm至1190mm，侧壁12内表面的高度b为420mm至600mm。

本实用新型实施例提供的石英方坩埚中，由于底壁11内表面的边长a为1130mm至1190mm，且侧壁22内表面的高度b为420mm至600mm，因此可以容纳更多的硅晶体，从而能够生产出更大的多晶硅铸锭；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此该多晶硅铸锭能被切割为高度为420mm至600mm的49(7*7)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，满足G7生长工艺的需求。

现有技术中的石英方坩埚生产的标准小硅锭数量最多为36个，而本实用新型实施例提供的石英方坩埚能够一次性生产490个标准小硅锭，大幅度提供高了生产效率，并且，生产成本相应降低。

同时，不与所述石英方坩埚接触的中间部位的标准小硅锭数量大大增加，减少了所述石英方坩埚中所含杂质对所述标准小硅锭的污染，提高了所述标准小硅锭的平均质量，从而提高了所述硅片的平均质量。