[实用新型]一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚

权利要求书

1.一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，包括由底部与侧壁组成的石墨坩埚本体，其特征在于：所述的石墨坩埚本体侧壁外表面均匀分布有内凹的螺纹状气体导流槽，螺纹状气体导流槽与水平面之间具有20°～70°的倾斜夹角。

2.根据权利要求1所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的螺纹状气体导流槽间隔为2～10mm，螺纹状气体导流槽宽度为2～10mm，深度小于10mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的螺纹状气体导流槽与水平面之间的倾斜夹角为35°～55°。

4.根据权利要求1所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的螺纹状气体导流槽旋转方向为左旋或右旋。

5.根据权利要求1所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的石墨坩埚本体包括限定内部容积的内底面、内侧面以及限定传热面积的外底面、外侧面，其中，内侧面与石墨坩埚的中心轴平行，内底面呈球弧状，弧度半径为R1，内底面与内侧面之间为球弧形连接，弧度半径为R2，所述的R1大于或等于R2。

6.根据权利要求1所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的石墨坩埚本体侧壁由至少两块相同的侧壁部件组成；石墨坩埚本体底部为一独立的个体结构，或者由与侧壁部件数量相同的底部部件组成，每个底部部件对应与每个侧壁部件为一体。

7.根据权利要求6所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的石墨坩埚本体侧壁包括三块或四块相同的侧壁部件。

8.根据权利要求1所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的石墨坩埚本体底部厚度与侧壁厚度的比值范围为1：3～3：1。

9.根据权利要求8所述的一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，其特征在于：所述的石墨坩埚本体底部厚度与侧壁厚度的比值范围为1：2～2：1。