[实用新型]一种晶圆载台结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体薄膜沉积设备，具体地说是一种晶圆载台结构。

背景技术

薄膜沉积技术的原理是将晶圆置于真空环境中，通入适量的反应气体，利用气体的物理变化和化学反应，在晶圆表面形成固态薄膜。

与晶圆载台相关的中国专利：公开日为2010年8月25日、公开号为CN201562672U的中国专利，公开日为2003年6月25日、公开号为CN2558077Y的中国专利，公开日为1999年4月28日、公开号为CN1215226A的中国专利，公开日为2010年1月6日、公开号为CN101621020A，公开日为2009年9月16日、公开号为CN201311921Y的中国专利等。以上专利适用于机械手自动传送晶圆的沉积设备，但不适用于手动加载晶圆的小型沉积设备。

目前，小尺寸晶圆（载台上放置的晶圆超过1个即为小尺寸晶圆）批量生产，采用如图1所示的晶圆载台，在晶圆载台上加工出至少一个与晶圆直径匹配的放置凹槽，将晶圆分别放在凹槽内，沉积工艺完成后，待晶圆冷却，使用镊子夹取晶圆。采用上述载台，晶圆的冷却时间长，晶圆拾取不方便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆载台结构。该晶圆载台结构利用外置底座上的顶针和晶圆载台上的顶针孔，将晶圆顶起，可以减少晶圆冷却时间，并便于用真空吸盘或镊子拾取晶圆。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

本实用新型包括晶圆载台及外置底座，其中晶圆载台上开有多个顶针孔，在晶圆载台的边缘沿圆周方向均布有多个夹取口；所述外置底座包括底板，在底板上设有与所述顶针孔相对应的顶针；所述晶圆载台落在外置底座的底板上，顶针由顶针孔穿出、支撑晶圆。

其中：所述晶圆载台的上表面设有至少一个凹槽，晶圆放置在该凹槽内，所述顶针孔均开在凹槽内；每个凹槽内均开有三个呈三角形布置的顶针孔，每个凹槽内的顶针孔所对应的底板上的顶针也呈三角形布置；所述顶针孔为通孔，其下部的孔壁为圆锥面；所述晶圆载台的边缘均布有多个缺口，该缺口与所述夹取口间隔设置；所述底板上设有与所述缺口相对应的销子；所述缺口为半圆柱状，沿轴向设置，即缺口的高度与晶圆载台的高度相同；所述销子为圆柱状，晶圆载台落在外置底座上，该销子靠在缺口的半圆柱面上；所述销子的内切圆直径大于缺口的内切圆直径；所述销子位于顶针的外围，靠近底板的边缘；所述销子的高度大于顶针的高度与底板的厚度之和；所述顶针的直径小于顶针孔的直径，顶针的高度大于晶圆载台的厚度。

本实用新型的优点与积极效果为：

1．本实用新型可以在未冷却状态下，将晶圆和热态下的晶圆载台分离，减少冷却时间，增加沉积设备的使用率。

2．本实用新型便于使用真空吸盘或镊子拾取晶圆。

3．本实用新型通过缺口与销子可以准确定位。

4．本实用新型结构简单，成本低廉。

附图说明

图1为现有晶圆载台的结构示意图；

图2为本实用新型晶圆载台的结构示意图（以一个晶圆为例）；

图3为图2中顶针孔的剖面示意图；

图4为本实用新型外置底座的结构示意图；

图5为向外置底座上放置晶圆载台的示意图；

其中：1为晶圆载台，11为晶圆凹槽，12为顶针孔，13为缺口，14为夹取口，2为外置底座，21为顶针，22为销子，23为底板，3为取放晶圆载台的工具，4为晶圆（显示为透明）。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详述。

如图2～4所示，本实用新型包括晶圆载台1及外置底座2，晶圆载台1为金属圆盘，材质可为6061铝合金；晶圆载台1的上表面设有至少一个凹槽11（本实施例的凹槽为一个），晶圆4放置在该凹槽11内；晶圆载台1上开有多个顶针孔12，所有顶针孔12均开在凹槽11内，每个凹槽11内的顶针孔12均为三个、呈三角形布置；顶针孔12为通孔，其下部的孔壁为圆锥面，即顶针孔12轴向载面的上部为长方形，下部为等腰梯形。在晶圆载台1的边缘沿圆周方向均布有多个夹取口14和多个缺口13，缺口13与夹取口14间隔布置，本实施例的夹取口14及缺口13各三个。缺口13为半圆柱状，沿轴向设置，即缺口13的高度与晶圆载台1的高度相同。