[实用新型]一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管有效
| 申请号： | 201220433435.1 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN202758892U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王新;朱怀宇 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 源极场板 trench mosfet 晶体管 | ||
1.一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管，其特征在于：从下往上依次包括漏极（213）、衬底（200）、漂移区（201）及源极（212）；
所述漂移区（201）设有若干深沟槽（202），深沟槽（202）内设有沟槽源极场板（204），所述沟槽源极场板（204）两侧的深沟槽（202）内设有厚氧化层（203），沟槽源极场板（204）两侧的厚氧化层（203）上各设有一个栅极（206），栅极（206）与深沟槽（202）的内壁之间设有栅极氧化层（205）；
所述相邻深沟槽（202）之间设有体区（207），所述体区（207）的上方设有两个源区（208）和一个欧姆接触区（211），两个源区（208）分别位于欧姆接触区（211）的两侧；
所述深沟槽（202）的上方设有隔离氧化层（209），隔离氧化层（209）上设有若干接触孔（210），欧姆接触区（211）通过接触孔（210）与源极（212）连通。
2.根据权利要求1所述的一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管，其特征在于：所述沟槽源极场板（204）的顶部与深沟槽（202）的上沿相平。
3.根据权利要求1所述的一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管，其特征在于：所述栅极（206）的顶部与深沟槽（202）的上沿相平。
4.根据权利要求1所述的一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管，其特征在于：所述栅极（206）、栅极氧化层（205）及体区（207）的最底端均位于深沟槽（202）的中部以上。
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