[实用新型]一种低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路

权利要求书

1.一种低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，包括箝位抑制电路，其特征在于：所述箝位抑制电路的输入端连接一低损耗导通电路的输入端和一直流电源的正输入端，所述直流电源的负输入端接地，所述箝位抑制电路的输出端连接所述低损耗导通电路的输出端。

2. 根据权利要求1所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述低损耗导通电路包括第一齐纳二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管；所述直流电源的正输入端连接所述第一齐纳二极管的阴极、第三电阻的一端和第四晶体管的发射极；所述第一齐纳二极管的阳极连接所述第一电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端和所述第一晶体管的基极；所述第二电阻的另一端接地；所述第一晶体管的集电极连接所述第三电阻的另一端、第四电阻的一端和第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极接地；所述第四电阻的另一端接地；所述第二晶体管的集电极连接所述第五电阻的一端，所述第二晶体管的发射极接地；所述第五电阻的另一端连接所述第四晶体管的基极；所述第四晶体管的集电极作为所述低损耗导通电路的输出端。

3. 根据权利要求1所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述箝位抑制电路包括第三晶体管、第六电阻、第一电容、第二齐纳二极管；所述直流电源的正输入端连接所述第六电阻的一端和所述第三晶体管的集电极；所述第六电阻的另一端连接所述第一电容的正极、第二齐纳二极管的阴极和第三晶体管的基极；所述第一电容的负极接地；所述第二齐纳二极管的阳极接地；第三晶体管的发射极作为所述箝位抑制电路的输出端。

4. 根据权利要求2所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述低损耗导通电路还包括第三齐纳二极管和第四齐纳二极管；所述第三齐纳二极管的阴极连接所述第一晶体管的基极，所述第三齐纳二极管的阳极接地；所述第四齐纳二极管的阴极连接所述第二晶体管的基极，所述第四齐纳二极管的阳极接地。

5. 根据权利要求3所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述箝位抑制电路还包括第一二极管和第二电容；所述第六电阻的另一端、第一电容的正极和第三晶体管的基极连接所述第一二极管的阳极；所述第一二极管的阴极连接所述第二齐纳二极管的阴极；所述第二电容的一端连接所述第三晶体管的发射极，另一端接地。

6. 根据权利要求2至5中任一项所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述第一齐纳二极管或第二齐纳二极管用瞬态电压抑制二极管替换。

7. 根据权利要求2或4所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述第一晶体管和第二晶体管是NPN型晶体管。

8. 根据权利要求2或4所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述第四晶体管是PNP型晶体管或P沟道场效应管。

9.根据权利要求3或5所述的低损耗宽输入快速输出的电压限幅电路，其特征在于：所述第三晶体管是NPN型晶体管或N沟道场效应管。