[实用新型]AZO-黑硅异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201220432470.1 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN203134841U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 夏洋 | 申请（专利权）人： | 夏洋 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/036 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 赵芳;徐关寿 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | azo 黑硅异质结 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于： 包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。
2.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述AZO薄膜为n型透明导电半导体薄膜的铝参杂氧化锌薄膜，电阻范围为10~10-4Ω·cm，可见光透过率大于等于85%，厚度范围为50~100nm。
3.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述表面保护层是由二氧化硅、氮化硅或氧化铝构成，其厚度为50~150nm。
4.根据权利要求1所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属栅电极和金属背电极由铝、铜、银、金、铂或其合金制成。
5.根据权利要求1~4之一所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述黑硅层为单晶黑硅的p型黑硅层；所述晶硅层为单晶硅的P型晶硅层。
6.根据权利要求1~4之一所述的AZO-黑硅异质结太阳能电池，其特征在于：所述黑硅层为多晶黑硅的p型黑硅层；所述晶硅层为多晶硅的P型晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏洋，未经夏洋许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220432470.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
