[实用新型]电磁抑制结构和柜体有效
申请号: | 201220430034.0 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN202856615U | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 沈捷;汪鋆;S.施勒德;张帆 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44;H02M1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 抑制 结构 | ||
1.一种电磁抑制结构,其被配置成抑制至少一个电磁辐射源产生的至少一部分电磁辐射信号,其特征在于:该电磁抑制结构包括第一电磁抑制元件、第二电磁抑制元件,该第一电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第一位置处,该第二电磁抑制元件通过固定元件与该第一电磁抑制元件机械连接,该第二电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第二位置处,并且在该第一电磁抑制元件和该第二电磁抑制元件之间形成预设的间隔,该第一电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,且该第一频率范围内的电磁辐射信号穿过该第二电磁抑制元件以及该预设的间隔,该第二电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号。
2.如权利要求1所述的电磁抑制结构,其特征在于:该第一电磁抑制元件包括铁材料。
3.如权利要求1所述的电磁抑制结构,其特征在于:该第二电磁抑制元件包括选自于由铜材料和铝材料构成的群组中的任意一种。
4.一种电磁抑制结构,其被配置成抑制至少一个电磁辐射源产生的至少一部分电磁辐射信号,其特征在于:该电磁抑制结构包括具有平板状结构的第一电磁抑制元件和具有平板状结构的第二电磁抑制元件,该第一电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第一位置处,该第二电磁抑制元件通过第一凸出长条和第二凸出长条与该第一电磁抑制元件机械连接,该第二电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第二位置处,并且在该第一电磁抑制元件和该第二电磁抑制元件之间形成预设的间隔,该第一电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,且该第一频率范围内的电磁辐射信号穿过该第二电磁抑制元件以及该预设的间隔,该第二电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号。
5.一种柜体,其被配置成至少将变流器收容于其内,其特征在于:该柜体包括至少一个侧边,该至少一个侧边一体设置有铁材料电磁抑制元件,该至少一个铁材料侧边的内侧连接至少一个铜电磁抑制件,该铜电磁抑制件与该至少一个侧边之间设置有预设的间距,该至少一个铁材料电磁抑制元件被配置成至少吸收与该变流器操作相关的至少一个电磁辐射源产生的频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,该铜电磁抑制件被配置成至少吸收与该变流器操作相关的至少一个电磁辐射源产生的频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号。
6.一种柜体,其被配置成至少将变流器收容于其内,其特征在于:该柜体包括至少一个侧边,该至少一个侧边一体设置有铁材料电磁抑制元件,该至少一个铁材料侧边的内侧连接至少一个铝电磁抑制件,该铝电磁抑制件与该至少一个侧边之间设置有预设的间距,该至少一个铁材料电磁抑制元件被配置成至少吸收与该变流器操作相关的至少一个电磁辐射源产生的频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,该铝电磁抑制件被配置成至少吸收与该变流器操作相关的至少一个电磁辐射源产生的频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号。
7.一种柜体,其被配置成至少将变流器和控制器收容于其内,其特征在于:该柜体包括至少一个侧边,该至少一个侧边一体设置有铁材料电磁抑制元件,该至少一个铁材料侧边的内侧连接至少一个铜电磁抑制件,该铜电磁抑制件与该至少一个铁材料侧边之间设置有预设的间距,该至少一个铁材料侧边被配置成至少吸收与该变流器操作相关的至少一个电磁辐射源产生的频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,该铜电磁抑制件被配置成至少吸收与该变流器操作相关的至少一个电磁辐射源产生的频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号,该柜体还收容有罩体,该罩体被配置成至少将该控制器收容于其内,该罩体设置有铁抑制材料和铜抑制材料,以用于避免该至少一个电磁辐射源产生的电磁辐射信号对该控制器进行电磁干扰。
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