[实用新型]SIM卡适配装置有效
| 申请号： | 201220427627.1 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN203104530U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 肖国强;杨平;黄明长;黄艳芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市法码尔科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H04M1/02 | 分类号： | H04M1/02 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 李琴 |
| 地址： | 518112 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sim 配装 | ||
一种SIM卡适配装置，其特征在于，包括具有第一种SIM卡外形尺寸的卡托，在所述卡托的对应SIM卡集成电路所处的上表面形成有下陷但未贯通的、具有比第一种SIM卡外形尺寸小的第二种SIM卡外形尺寸的容置槽，所述容置槽在所述卡托上表面的位置使得容置在容置槽中的第二种SIM卡的集成电路位置与第一种SIM卡的集成电路位置相一致。
根据权利要求1所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述第一种SIM卡为标准SIM卡，所述第二种SIM卡为纳米SIM卡。
根据权利要求2所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述卡托的长度为25mm，宽度为15mm，厚度为0.8mm，具有标准SIM卡的外形；所述容置槽的长度为12.3mm，宽度为8.8mm，容置槽从卡托的上表面下陷的深度为0.6mm，形成一具有Nano SIM卡外形的容置空间。
根据权利要求3所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述容置槽的下边缘到卡托的下边缘的距离为2.79mm，容置槽的左边缘到卡托的左边缘的距离为2.19mm，容置槽的右边缘到卡托的右边缘的距离为4.01mm。
根据权利要求1所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述第一种SIM卡为小SIM卡，所述第二种SIM卡为纳米SIM卡。
根据权利要求5所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述卡托的长度为15mm，宽度为12mm，厚度为0.8mm，具有小SIM卡的外形；所述容置槽的长度为12.3mm，宽度为8.8mm，容置槽从卡托的上表面下陷的深度为0.6mm，形成一具有Nano SIM卡外形的容置空间。
根据权利要求6所述的SIM卡适配装置，其特征在于，所述容置槽的下边缘到卡托的下边缘的距离为0.99mm，容置槽的左边缘到卡托的左边缘的距离为0.69mm，容置槽的右边缘到卡托的右边缘的距离为2.51mm。
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