[实用新型]用于MOSFET芯片的封装体有效
| 申请号： | 201220421197.2 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202796930U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mosfet 芯片 封装 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于MOSFET芯片的封装体，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过导电焊料层（6）电连接；所述第一导电焊盘（7）和第二导电焊盘（8）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8）；若干根第一金属线（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间，第二金属线（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间。
2. 根据权利要求1所述的封装体，其特征在于：所述第一金属线（9）的数目为至少四根。
3. 根据权利要求1所述的封装体，其特征在于：所述第一导电焊盘（4）的引脚区由至少四根源极引脚组成。
4. 根据权利要求1所述的封装体，其特征在于：所述第二导电焊盘（5）的引脚区由一根栅极引脚组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州固锝电子股份有限公司，未经苏州固锝电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220421197.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高同轴度的滑动V槽压配结构
- 下一篇：一种发动机气缸盖用安装工具
