[实用新型]一种具有PN结保护的硅台面半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件的PN结保护工艺技术领域，特别是硅台面半导体器件的PN结保护工艺。

背景技术

当今硅台面半导体器件的PN结保护工艺，是采用在硅片表面涂覆一层玻璃层，以达到保护PN 结的作用。其工艺原理是：将稀释剂和玻璃粉的混合液，均匀涂敷在完成了扩散工序待钝化的硅片的表面，再将硅片装入载片舟，推入扩散炉，升温至470℃，在O₂气氛中焙烧20分钟后将载片舟拉出，去除表面多余的玻璃粉；然后将硅片装入载片舟，推入扩散炉，升温至820℃，在O₂气氛中烧结20分钟后将载片舟拉出，取下硅片，PN结表面即覆盖了一层玻璃钝化层。该工艺的不足之处在于，由于玻璃层内的气泡的存在和玻璃层密度的影响，玻璃层的厚度需要达到30～40μm的厚度，方能达到钝化要求。由此带来了一些弊端，半导体器件在恶劣环境中，玻璃层内会产生裂纹，从而影响钝化质量。长期以来，在半导体器件制造领域，人们不断进行工艺创进，力求降低生产成本，提高产品的性价比。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种可避免玻璃层出现裂纹的具有PN结保护的硅台面半导体器件。

本实用新型包括两层N型层，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO₂保护膜层，在设有SiO₂保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层，在SIPOS薄膜层外设置玻璃钝化膜层。

本实用新型采用在SIPOS薄膜层上叠加玻璃钝化膜层的方式代替传统单一的玻璃钝化膜层直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的方式，本实用新型提高了半导体器件的抗恶劣环境的能力，可避免玻璃钝化膜层产生裂纹，以提高产品的使用寿命。

本实用新型的所述玻璃钝化膜层的厚度为15～20μm，既薄，又具有更强的抗裂效果。

另外，所述SIPOS薄膜的厚度为1～2μm，一定厚度的SIPOS薄膜利于对沉积的玻璃钝化层进行保护。

附图说明

图1为实用新型的一种结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型包括两层N型层6和8，在两层N型层6和8之间设置P型层7。

在N型层8的外侧设置SiO₂保护膜层1，在N型层8的外侧和与N型层8连续的P型层7外侧分别设置凹形台面，在凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层2和3，在SIPOS薄膜层2和3外设置玻璃钝化膜层4和5。