[实用新型]单晶硅区熔拉伸炉控制系统有效
申请号: | 201220407201.X | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN202865389U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 李杰;陆晓阳 | 申请(专利权)人: | 德阳瑞能电力科技有限公司 |
主分类号: | C30B13/28 | 分类号: | C30B13/28 |
代理公司: | 成都蓉信三星专利事务所 51106 | 代理人: | 刘克勤 |
地址: | 618000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 拉伸 控制系统 | ||
1. 一种单晶硅区熔拉伸炉控制系统,包括:
上轴旋转速度检测装置,用于检测上轴旋转速度;
上轴送料速度检测装置,用于检测上轴位移速度;
下轴旋转速度检测装置,用于检测下轴旋转速度;
下轴拉伸速度检测装置,用于检测下轴位移速度;
炉膛温度检测装置,用于检测炉膛温度;
炉膛气压检测装置,用于检测炉膛惰性气体充气压力;
数据采集模块,用于将上述检测装置获得的信号转换成数字信号;
存储器,用于存储信号数据、控制参数设定值及信号处理计算模型;
中央处理器,用于处理上述检测信号,输出控制信号;
控制信号输出模块,用于输出控制信号,将数字控制信号转换成模拟信号;
上轴旋转速度控制器,用于控制上轴旋转电机的速度;
上轴送料速度控制器,用于控制上轴送料电机的速度;
下轴旋转速度控制器,用于控制下轴旋转电机的速度;
下轴拉伸速度控制器,用于控制下轴拉伸电机的速度;
炉膛温度控制器,用于控制感应加热器的功率;
炉膛气压控制器,用于控制惰性气体的充气压力;
所述中央处理器将上轴旋转速度信号数据与其设定值进行比较,向上轴旋转速度控制器输出控制信号,控制上轴旋转电机的速度;将上轴送料速度信号数据与其设定值进行比较,向上轴送料速度控制器输出控制信号,控制上轴送料电机的速度;将下轴旋转速度信号数据与其设定值进行比较,向下轴旋转速度控制器输出控制信号,控制下轴旋转电机的速度;将下轴拉伸速度信号数据与其设定值进行比较,向下轴拉伸速度控制器输出控制信号,控制下轴拉伸电机的速度;将炉膛温度信号数据与其设定值进行比较,向炉膛温度控制器输出控制信号,控制感应加热器的功率;将炉膛气压信号数据与其设定值进行比较,向炉膛气压控制器输出控制信号,控制惰性气体充气阀的开度。
2.如权利要求1所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,该系统还包括下轴滑座行程检测装置、下轴滑座行程控制器,所述中央处理器将下轴滑座行程信号数据与其设定值进行比较,向下轴滑座行程控制器输出控制信号,控制下轴快速升降电机的启、停。
3.如权利要求2所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,所述下轴滑座行程检测装置采用磁电感应检测元件。
4.如权利要求1所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,所述各电机与其驱动对象之间配有蜗轮蜗杆传动副,电机输出轴通过联轴器与蜗杆联接,该联轴器采用柔性联轴器。
5.如权利要求1所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,所述上轴配有快速升降电机及其蜗轮蜗杆传动副。
6.如权利要求1所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,该系统的各种信号线路均采用屏蔽电缆。
7.如权利要求6所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,所述屏蔽电缆的两端配有磁环。
8.如权利要求1所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,该系统还配有触摸屏,用于控制参数设定值、计算模型录入操作及显示操作界面。
9.如权利要求1所述的单晶硅区熔拉伸炉控制系统,其特征在于,该系统还配有手动开关,用于故障时紧急停机。
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