[实用新型]一种晶体管版图结构及芯片版图结构有效
| 申请号： | 201220406951.5 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN202758890U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 丛久滨;谢文刚;任民 | 申请（专利权）人： | 成都国微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 版图 结构 芯片 | ||
1.一种晶体管版图结构，其特征在于，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。
2.根据权利要求1所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述主体区包括：
栅极区、公共区、漏极区、P注入阱和深阱区；
所述栅极区呈长条状，将所述公共区和漏极区隔开；
所述公共区位于两个栅极区中间，且所述公共区内包括两源极区和一衬底有源区，所述衬底有源区位于两源极区之间，且与两源极区相连接；
所述P注入阱位于所述深阱区上，且所述公共区位于P注入阱内。
3.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述源极区内包括至少一个源极接触孔。
4.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，所述漏极区内包括至少一个漏极接触孔。
5.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，衬底有源区内包括至少一个衬底接触孔。
6.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，还包括：
公共金属区，所述公共金属区呈哑铃状，且位于公共区上；
漏端金属区，所述漏端金属区呈纺锤状，且位于漏极区上。
7.根据权利要求2所述的晶体管版图结构，其特征在于，还包括：
第一电流通道金属区，所述第一电流通道金属区呈长条状，与所述公共区和漏极区相交叠，且所述第一电流通道金属区与公共区交叠的区域设置有至少一个通孔；
第二电流通道金属区，所述第二电流通道金属区呈长条状，与所述公共区和漏极区相交叠，且所述第二电流通道金属区与漏极区交叠的区域设置有至少一个通孔。
8.一种芯片版图结构，其特征在于，包括至少一个晶体管版图结构，所述晶体管版图结构为权利要求1~7任意一项所述的晶体管版图结构。
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