[实用新型]离子分离装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及到半导体生产行业中的离子注入机台，尤其涉及离子分离装置。

背景技术

在离子注入机台中，离子的产生是通过电子轰击气体而得到的。离子离开离子源后会经过一个叫萃取（extraction）的装置，这个装置的目的是为了防止二次电子和萃取出离子。萃取装置上有两个电极，一个是电极抑制端（Electrode Suppression），一个电电极接地端（Electrode Ground）。通常萃取装置工作时，需要在电极抑制端上加-5KV到-10KV的电压，并将电极接地端接地，离子先经过电极抑制端再经过电极接地端。为了电极抑制端可以上下以及前后活动，所以在电极抑制端和外界相连的地方安装了一个活动部件（bellow），电极抑制端上的电压是通过bellow导向电极抑制端的；而在bellow下方装了一个绝缘子，这个绝缘子的目的是为了让bellow上的电压和extraction的本体绝缘。但在实际生产过程中，由于离子源出来的多样性，导致绝缘子容易被溅射到并被污染。由于绝缘子紧紧贴着bellow，一旦bellow加的电压很大，bellow和绝缘子在受到污染很严重的情况下，绝缘子就被放电，从而表面遭到击穿，进而失去绝缘的作用。

实用新型内容

本实用新型提出的离子分离装置，其目的在于：能够保护绝缘子不受污染，从而保证其绝缘性。

为了实现上述目的，本实用新型提出的离子分离装置，包括：

萃取机本体，顶部提供一开口；

第一绝缘子，固定于所述萃取本体机开口内；

活动部件，下端固定连接在所述第一绝缘子的上端；

第一罩子，固定连接在所述活动部件上端的外周，并且开口朝上；

第二绝缘子，下端与所述活动部件的定端固定连接；

第二罩子，固定连接在所述第二绝缘子上端的外周表面，开口朝下并罩在所述第一罩子的外围；

石墨盘，位于所述第二罩子上方并电连接所述第二罩子，所述石墨盘的盘面垂直于所述第二绝缘子上端表面；

电源线，一端连接所述第二罩子，另一端连接一电源。

进一步地，所述第一绝缘子的材质为氧化铝。

进一步地，固定于所述第一绝缘子的下端外周的一绝缘O型橡胶圈。

进一步地，所述第一绝缘子通过螺丝固定在所述萃取机本体的圆形开口内。

进一步地，所述活动部件下端通过螺丝与所述第一绝缘子上端相连接。

进一步地，所述活动部件为圆柱体，其直径为5cm~8cm。

进一步地，所述第一罩子通过螺丝固定在所述活动部件上端的外周。

进一步地，所述第一罩子的材质为铝。

进一步地，所述第一罩子为圆锥体、圆柱体或长方体。

进一步地，所述第一罩子的上端口径大小为6cm~10cm，深度为1cm~3cm。

进一步地，所述活动部件上端有一圆形内部带有内螺纹的开口。

进一步地，所述第二绝缘子下端有与所述开口内螺纹尺寸相匹配的外螺纹。

进一步地，所述第二绝缘子下端与所述活动部件通过螺丝固定。

进一步地，所述第二绝缘子材质为氧化铝。

进一步地，所述第二绝缘子为圆柱体，其直径为2cm~5cm，高度为5mm~2cm。

进一步地，所述第二罩子与所述第二绝缘子上端通过螺丝固定连接，开口朝下且其必须保持与所述第一罩子最外沿的水平和竖直距离都相隔5mm以上。

进一步地，所述第二罩子的材质为铝。

进一步地，所述第二罩子为圆锥体或柱体。

进一步地，所述第二罩子下端口径大小为8cm~13cm，深度为3cm~8cm，下端口径必须大于第一罩上端的口径，深度必须大于第一罩深度3~5cm，并且所述第二罩与所述萃取机本体之间最少保持5cm以上的距离。

进一步地，所述电源线通过螺丝与所述第二罩子固定连接。

进一步地，所述石墨盘通过螺丝与所述第二绝缘子上端和所述第二罩子上端相连。

与现有技术相比，本实用新型提出的离子分离装置，其有益效果主要体现在：通过在绝缘子外围添加开口向上的第一罩子和开口向下并罩在第一罩子外围的第二罩子来保护绝缘子，避免其遭受污染，从而确保绝缘子的绝缘性，使石墨盘与萃取机本体完全绝缘，进而延长离子分离装置的工作时间。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中第二绝缘子安装在活动部件中的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一中圆锥体罩的装置结构示意图；