[实用新型]一种彩膜基板、液晶面板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，特别涉及一种彩膜基板、液晶面板及液晶显示装置。

背景技术

根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。垂直电场型液晶显示装置主要包括扭曲向列（TN）模式和垂直取向（VA）模式，水平电场型液晶显示装置主要包括共平面切换（IPS）模式、边界电场切换（FFS）模式和高级超维场开关（ADS）模式。相对于垂直电场型液晶显示装置，水平电场型液晶显示装置不需要额外的光学补偿膜，即能实现宽视角。但是，对于水平电场型液晶显示装置，其液晶层中的电场分布不均匀，存在电场未覆盖的局部区域，该局部区域不能透光，从而导致液晶面板的整体透过率不高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种彩膜基板、液晶面板及液晶显示装置，以提高液晶面板的透过率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供技术方案如下：

一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及形成在阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，其中：

所述阵列基板面对所述彩膜基板的一侧形成有多个交替排布的第一像素电极和第一公共电极；

所述彩膜基板面对所述阵列基板的一侧形成有多组电极结构，每组电极结构包括一第二像素电极和一第二公共电极，且每组电极结构中的第二像素电极和第二公共电极对称分布在第一像素电极或第一公共电极在所述彩膜基板上的正投影的两侧。

上述的液晶面板，其中：在所述彩膜基板上的相邻两组电极结构中，所述第二像素电极和所述第二公共电极的排布顺序相反。

上述的液晶面板，其中：所述电极结构中的第二像素电极与第二公共电极之间的距离小于，相邻的第一像素电极和第一公共电极之间的距离。

上述的液晶面板，其中：

所述第一像素电极、第二像素电极、第一公共电极和第二公共电极的电极宽度为2～3μm；

所述电极结构中的第二像素电极与第二公共电极之间的距离为2～5μm；

相邻的第一像素电极和第一公共电极之间的距离为5～10μm。

一种液晶面板的彩膜基板，所述液晶面板的阵列基板面对所述彩膜基板的一侧形成有多个交替排布的第一像素电极和第一公共电极，其中，所述彩膜基板包括：

基板；

形成在所述基板面对所述阵列基板的一侧的多组电极结构，每组电极结构包括一第二像素电极和一第二公共电极，且每组电极结构中的第二像素电极和第二公共电极对称分布在第一像素电极或第一公共电极在所述基板上的正投影的两侧。

上述的彩膜基板，其中：相邻两组电极结构中，第二像素电极和第二公共电极的排布顺序相反。

上述的彩膜基板，其中：所述电极结构中的第二像素电极与第二公共电极之间的距离小于，相邻的第一像素电极和第一公共电极之间的距离。

上述的彩膜基板，其中：所述第一像素电极、第二像素电极、第一公共电极和第二公共电极的电极宽度为2～3μm；

所述电极结构中的第二像素电极与第二公共电极之间的距离为2～5μm；

相邻的第一像素电极和第一公共电极之间的距离为5～10μm。

一种液晶显示装置，包括上述的液晶面板。

与现有技术相比，本实用新型除了在阵列基板上形成像素电极和公共电极之外，还在彩膜基板上形成像素电极和公共电极，液晶层中除了有由阵列基板上的像素电极与公共电极产生的主要电场分布之外，还有由彩膜基板上的像素电极与公共电极产生的辅助电场分布，该辅助电场分布补偿和加强了液晶层中的水平电场，能够形成液晶层的均匀的电场分布，从而能够提高液晶面板的透过率。

附图说明

图1为根据本实用新型实施例的液晶面板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的液晶面板中形成了电场时的透过率分布示意图；

图3为现有技术的液晶面板中形成了电场时的透过率分布示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。