[实用新型]一种反接保护升压触发电路有效
| 申请号： | 201220396046.6 | 申请日： | 2012-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN202799335U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王艳 | 申请（专利权）人： | 成都方拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B41/14 | 分类号： | H05B41/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反接 保护 升压 触发 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种反接保护升压触发电路，主要由相互串接的分压电阻R1和储能电容C1，以及一端连接在分压电阻R1和储能电容C1之间的双向触发二极管DB和二极管D3组成，其特征在于：在分压电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间还连接有反接保护电路。
2.根据权利要求1所述的一种反接保护升压触发电路，其特征在于：所述反接保护电路包括依次串接的熔断器F、二极管D1和继电器K，且在继电器K处还并联有二极管D2；同时，在熔断器F与分压电阻R1之间还串接有继电器K的常开触点。
3.根据权利要求2所述的一种反接保护升压触发电路，其特征在于：所述二极管D2的N极连接于二极管D2与继电器K之间。
4.根据权利要求3所述的一种反接保护升压触发电路，其特征在于：所述二极管D1和二极管D2的阻抗相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都方拓科技有限公司，未经成都方拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220396046.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
