[实用新型]一种反接保护电子镇流器用电路

权利要求书

1.一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：主要由依次串接而成的稳压滤波电路（1）、升压保护电路（2）、逐源滤波电路（3）、自激高频电路（4）及谐振保护电路（5）组成。

2.根据权利要求1所述的一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：所述稳压滤波电路（1）由电感L1、电感L2以及电容C1和电容C2组成，所述电容C1的两端分别与电感L1和电感L2的一端相连后形成滤波输入端，电容C2的两端则分别与电感L1和电感L2的另一端相连后形成滤波输出端，同时在电感L1和电感L2处还分别并联有二极管D。

3.根据权利要求2所述的一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：所述升压保护电路（2）由相互串接的电阻R1和电容C3，一端连接在分压R1和电容C3之间的双向触发二极管DB和二极管D3，以及连接在电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间的反接保护电路组成；而该反接保护电路则由依次串接的熔断器F、二极管D1和继电器K，以及与继电器K相并联的二极管D2组成；所述熔断器F与电阻R1之间的接点通过继电器K的常开触点与电感L1与电容C2的连接点相连接，而电容C3的另一端则与电容C2与电感L2的连接点相连接。

4.根据权利要求3所述的一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：所述的逐源滤波电路（3）包括相互串接的低频滤波电容TC1和二极管D6，相互串接的二极管D4和低频滤波电容TC2，串接在低频滤波电容TC1和二极管D6的连接点与二极管D4与低频滤波电容TC2的连接点之间的二极管D5，相互串接的电感L3和电容C4，顺次串接的熔断器F3、二极管D31、二极管D32，以及与二极管D32相并联的继电器K3；所述熔断器F3的另一端、低频滤波电容TC1的正极、二级管D4的N极及电感L3的输入端均经继电器K3的常开触点后与双向触发二极管DB的输出端相连接；二极管D32的P极与电感L3与电容C4的连接点相连接；电容C4的另一端、低频滤波电容TC2的负极和二极管D6的P极则均与电容C3的另一端相连接。

5.根据权利4所述的一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：所述的自激高频电路（4）包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路，以及反接保护电路组成；其中与场效应晶体管Q1相并联的耦合整流电路由连接在场效应晶体管Q1的栅极与漏极之间的电感线圈L43，相互串接后再与电感线圈L43两端相连接的二极管DT1和二极管DT2组成；与场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路主要由连接在场效应晶体管Q2的栅极与漏极之间的电感线圈L42，以及相互串接后再与电感线圈L42两端相连接的二极管DT3和二极管DT4组成；所述反接保护电路由顺次串接的继电器K4、二极管DT7、熔断器F4及电感线圈L41，以及与继电器K4相并联的二极管DT8组成；同时，场效应晶体管Q1与场效应晶体管Q2的连接点经继电器K4的常开触点后与电感L3相连接；场效应晶体管Q2的漏极还与低频滤波电容TC2的负极相连接。

6.根据权利5所述的一种反接保护电子镇流器用电路，其特征在于：所述谐振保护电路（5）由场效应晶体管Q3，一端与场效应晶体管Q3的栅极相连接、另一端依次经电容C6、电容C8后与场效应晶体管Q1的漏极相连接的电容C5，串接在电容C5与电容C6的连接点与场效应晶体管Q1的漏极之间的电容C7，以及与电容C8相并联的电感L4组成。