[实用新型]一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置有效
申请号: | 201220393409.0 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN202758882U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 徐敏;谢文刚;任民 | 申请(专利权)人: | 成都国微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模拟 数模 混合 信号 处理 芯片 装置 | ||
1.一种模拟/数模混合信号处理芯片的修调装置,其特征在于,所述装置设置于所述芯片中,包括:
当测量得到所述芯片的参数偏差之后,检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的检测模块;
与所述检测模块相连,依据当所述芯片的参数偏差和所述齐纳二极管状态为全部未击穿时生成的第一修调信号生成第一控制信号,或依据当所述芯片的参数偏差和所述齐纳二极管状态为部分击穿时生成的第二修调信号生成第二控制信号的控制器;
分别与所述控制器和所述检测模块相连,依据接收到的第一工作模式选择信号确定为第一工作模式,依据所述第一控制信号对齐纳二极管阵列中的齐纳二极管分别进行击穿修调,或者,依据接收到的第二工作模式选择信号确定为第二工作模式,依据所述第二控制信号对所述齐纳二极管进行模拟击穿,当所述模拟击穿结果满足第一预设条件时,依据接收到的第一工作模式选择信号确定为第一工作模式,并依据所述第二控制信号对齐纳二极管阵列中的齐纳二极管分别进行击穿修调的齐纳二极管阵列模块。
2.根据权利要求1所述的修调装置,其特征在于,还包括:
分别与所述检测模块和所述齐纳二极管阵列模块相连,对所述齐纳二极管阵列模块在第二工作模式下的模拟击穿结果进行读取,以及当所述模拟击穿结果满足第一预设条件时,对所述齐纳二极管阵列模块在第一工作模式下的击穿结果进行读取的读取模块;
与所述读取模块相连,当所述读取模块分别读取的所述模拟击穿结果与所述击穿结果满足第二预设条件时,判定所述修调结束,否则,判定所述修调未结束,并将所述修调未结束的判定结果传输至所述检测模块使得所述检测模块检测齐纳二极管阵列中各齐纳二极管状态的判断模块。
3.根据权利要求2所述的修调装置,其特征在于,所述齐纳二极管阵列模块包括:
接收第一工作模式选择信号或第二工作模式选择信号的第一接收端口;
与所述第一接收端口相连,依据所述第一接收端口接收的第一工作模式选择信号确定所述齐纳二极管阵列模块为第一工作模式,或依据所述第一接收端口接收的第二工作模式选择信号确定所述齐纳二极管阵列模块为第二工作模式的工作模式选择器;
当所述齐纳二极管阵列模块的工作模式为第一工作模式时,接收控制器发送的第一控制信号;当所述齐纳二极管阵列模块的工作模式为第二工作模式时,接收控制器发送的第二控制信号,当所述模拟击穿结果满足第一预设条件,所述齐纳二极管阵列模块的工作模式为第一工作模式时,接收控制器发送的第二控制信号的第二接收端口;
分别与所述工作模式选择器和所述第二接收端口相连,当所述齐纳二极管状态为部分击穿时,依据所述第二控制信号对所述齐纳二极管进行模拟击穿的数据寄存器;
分别与所述工作模式选择器和所述第二接收端口相连,当所述齐纳二极管状态为全部未击穿时,依据所述第一控制信号对齐纳二极管分别进行击穿修调;当所述齐纳二极管状态为部分击穿时,当数据寄存器中的所述模拟击穿结果满足第一预设条件时,依据所述第二控制信号对齐纳二极管分别进行击穿修调的齐纳二极管阵列。
4.根据权利要求3所述的修调装置,其特征在于,所述齐纳二极管阵列模块还包括:
分别与所述数据寄存器和所述齐纳二极管阵列相连,分别对进行修调时所述数据寄存器和所述齐纳二极管阵列得到的修调结果信号进行串行输出的串行输出端口。
5.根据权利要求1所述的修调装置,其特征在于,还包括:
与所述检测模块相连,将所述检测模块对所述齐纳二极管阵列的各齐纳二极管状态的检测结果进行输出的并行输出端口。
6.根据权利要求1所述的修调装置,其特征在于,还包括:
分别与所述控制器和所述齐纳二极管阵列模块相连的电源;
分别与所述控制器和所述齐纳二极管阵列模块相连的装置接地端。
7.根据权利要求6所述的修调装置,其特征在于,还包括:
分别与所述电源、所述控制器的接电源端和所述齐纳二极管阵列模块的接电源端相连的第一静电保护电路;
分别与所述装置接地端、所述控制器的接地端和所述齐纳二极管阵列模块的接地端相连的第二静电保护电路。
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