[实用新型]一种并联型IGBT模块

说明书

技术领域

    本实用新型涉及逆变器电源领域，更具体地说涉及一种并联型IGBT模块。

背景技术   

由于IGBT （绝缘栅双极型晶体管）综合了GTR 和MOSFET 既具有大电流、低饱和压降,又具有高输入阻抗、驱动简单和开关频率高等优点,特别适合于应用于中高频、中大功率的情况。IGBT作为一种大功率大电流高耐压的半导体器件，在电子电路中它就像一个开关器件，当单个主开关器件的容量不能满足功率要求时,通常用两种方法来提高功率等级: 一是直接选用更大功率等级的器件；二是采用功率等级较小、市场货源充足、驱动功率低且线路简单的IGBT 模块,通过串、并联来满足耐压、耐流等级的要求。

由于单纯采用高功率等级IGBT 模块将大大提高产品成本和驱动电路的复杂性,因此采用多管并联提高电流定额以满足工业要求。并联的IGBT 自身参数的不一致及电路布局不对称,势必引起器件电流分配不均衡,严重时会使器件失效甚至损坏主电路；并联IGBT之间的功耗及冷却差异会引起工作结温不同，进而也会影响IGBT的动态和静态特性，使电流出现不平衡。

实用新型内容

    本实用新型的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种IGBT模块。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种并联型IGBT模块，包括散热器，偶数只IGBT，所述IGBT对称安装在棱柱形散热器的侧面上。

上述并联型IGBT模块中，所述棱柱形散热器为四棱柱形散热器， IGBT分别对称安装在四棱柱散热器的的两个侧面上。

上述并联型IGBT模块中，所述棱柱形散热器为正四棱柱形散热器， IGBT分别对称安装在正四棱柱散热器的的四个侧面上。

上述并联型IGBT模块中，所述棱柱形散热器为正六棱柱形散热器， IGBT分别对称安装在正六棱柱散热器的六个侧面上。

上述并联型IGBT模块中，所述棱柱形散热器为正八棱柱形散热器， IGBT分别对称安装在正八棱柱散热器的八个侧面上。

上述并联型IGBT模块中，所述棱柱形散热器为正十棱柱形散热器， IGBT分别对称安装在正十棱柱散热器的十个侧面上。

本实用新型的IGBT对称安装在棱柱形散热器的侧面，由于各支路具有完全相同的物理空间、位置结构，各支路间在物理结构上完全对称，并且各支路连接遵从最短连接距离，使得各单元支路具有十分接近的各项物理参数，包括：支路电阻、电感、漏感、互感、分布电容、分布电感、散热环境、功耗等，使各支路的电流分配达到不均衡。并联型IGBT采用在正六棱柱散热器侧面进行对称安装，尽可能地降低功耗及冷却的差异，以获得最佳的热耦合，达到最优的热平衡状态可有效消除电流分配不均衡问题。在整个逆变器中，对称式结构的并联型IGBT模块再与对称的变压器，驱动电路等结合达到整体电路布局对称和引线最短,以减小固有参数差异及寄生参数造成的影响。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：本实用新型通过将IGBT对称安装在棱柱形散热器的侧面，在结构上保持高度的对称，可有效降低IGBT并联应用时由于器件本身，工作结温不同，寄生参数等造成的电流分配不均衡问题。规则正六棱柱散热器美观，成本低，批量生产方便，易于安装，散热效果好。

附图说明

图1为实施例1的结构图(俯视)。

图2为实施例2的结构图(俯视)。

图3为实施例3的结构图(俯视)。

图4为实施例4的结构图(俯视)。

图5为实施例5的结构图(俯视)。

图6为实施例6的结构图(俯视)。

图中标记：1-散热器，2-IGBT。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1