[实用新型]一种半导体激光器

说明书

技术领域

    本实用新型涉及一种半导体激光器，属于激光设备领域。

背景技术

激光器是一种能发射激光的装置。1954年制成了第一台微波量子放大器，获得了高度相干的微波束。1958年A.L.肖洛和C.H.汤斯把激光微波量子放大器原理推广应用到光频范围，并指出了产生激光的方法。1960年T.H.梅曼等人制成了第一台红宝石激光器。1961年A.贾文等人制成了氦氖激光器。1962年R.N.霍尔等人创制了砷化镓半导体激光器。

目前激光器的种类很多。根据工作物质物态的不同可以把所有的激光器分为以下几类：第一类，固态激光器（晶体和玻璃）激光器；第二类，气体激光器，气体激光器进一步可以分为原子气体激光器、离子气体激光器、分子气体激光器、准分子气体激光器等；第三类，液体激光器，这类激光器所采用的工作物质主要包括两大类，一类是有机荧光染料溶液，另一类是含有稀土金属离子的无机化合物溶液；第四类，半导体激光器；第五类，自由电子激光器。

其中第四类的半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。

通常在半导体激光器的激光头上设置有一级激光防护镜，该激光防护镜用于透过来自于激光器发光主体的激光，透过激光防护镜的激光可以直接作用于工件表面。然而，半导体激光器在进行激光熔覆加工的时候，由于激光防护镜离工件较近，所以从工件来的粉末等污染物或者高温燃烧细粉有可能会达到激光保护镜的表面，从而污染或者灼烧激光保护镜。如果增大激光保护镜与工件的距离，那么激光的能量利用率又会急剧降低。

具体地，下面结合附图来说明现有技术中存在的上述问题。

请参见图1，图1是现有技术的利用半导体激光器对工件进行激光加工的示意图。传统的半导体激光器激光头包括主体11，出光口12，一级保护镜片13，从半导体激光器内部来的激光通过一级保护镜片13、照射在工件15上，此时由于半导体激光器的激光能量较高，所以在激光熔覆过程中，来自于工件15表面的熔融合金粉末14会溅起，从而污染或者灼烧激光器一级防护镜13。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种能够对半导体激光器的激光防护镜进行保护的半导体激光器。

具体地，本实用新型所提供的技术方案如下：

技术方案1.

一种半导体激光器，在半导体激光器的激光头上沿激光出射方向依次具有二级激光防护镜和保护锥体通孔，所述二级激光防护镜用于透过激光并通过所述保护锥体通孔向激光器的外部射出激光；

在所述保护锥体通孔的附近具有气体吹扫装置，来自于所述气体吹扫装置的气体出口的气流吹扫所述保护锥体通孔的下方区域，所述气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向为朝向下方或者水平方向。

技术方案2.

根据技术方案1所述的半导体激光器，其改变之处在于，所述气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向与所述保护锥体通孔所在平面的夹角为0°~80°。

技术方案3.

根据技术方案2所述的半导体激光器，其改变之处在于，所述气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向与所述保护锥体通孔所在平面的夹角为0°~45°。

技术方案4.

根据技术方案3所述的半导体激光器，其改变之处在于，所述气体吹扫装置的气体出口的气流的前进方向与所述保护锥体通孔所在平面的夹角为0°~15°。

技术方案5.

根据技术方案1~4中任意一项所述的半导体激光器，其改变之处在于，所述气体吹扫装置与所述保护锥体通孔之间沿激光出射方向的距离为0~10mm。

技术方案6.

根据技术方案5所述的半导体激光器，其改变之处在于，所述气体吹扫装置与所述保护锥体通孔之间沿激光出射方向的距离为0~5mm。

技术方案7.

根据技术方案1所述的半导体激光器，其改变之处在于，所述气体吹扫装置为压缩空气吹扫装置。

技术方案8.