[实用新型]一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置有效
申请号: | 201220375153.0 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN202730229U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 张文涛;熊显名;朱保华;朱志斌;胡放荣;蒋曲博 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C14/54 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 王俭 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 容器 纳米 光栅 沉积 位置 操控 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置,用于纳米光栅沉积基片的制作及研究领域。
背景技术
利用激光驻波场汇聚中性原子束沉积制作纳米光栅技术是纳米领域内的一个研究热点,该技术的基本原理是真空环境下利用特定空间分布激光驻波场的辐射压力控制原子的运动,使原子束的空间密度产生相应的分布,继而直接沉积在基板上,从而形成纳米光栅结构。
在实际的实验操作过程中,由于沉积基片处于真空容器内,对于真空容器内沉积基片的移动、更换等操作非常不方便。每次移动沉积基片的位置或更换沉积基片,均需打开真空容器进行调整或更换,而后再重新进行抽真空, 由于每次抽真空的时间较长,大大延长了实验周期。
对于纳米光栅真空容器内沉积基片的位置操控和更换,国内外相关研究小组在该方面的分析和研究较少,相关方法和成果很少见诸报导。只有少数研究小组进行机械手装置操控容器内基片方法的研究,如意大利比萨大学Fuso教授研究小组对铯原子真空容器内的纳米光栅沉积进行了相关研究,采用容器外的控制装置控制机械手对容器内的沉积基片进行更换,通过该方式,成功实现了真空容器外对容器内沉积基片的更换。但是由于机械手装置较为复杂,操纵过程较为繁琐,同时该方法只能实现对沉积基片的内部更换,不能实现对沉积基片的位置操控,不能实现同等真空条件下纳米光栅的多次沉积和比较。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种在真空容器外对真空容器内纳米光栅沉积基片位置的操控装置,该装置弥补了现有技术中只能在容器外操控容器内沉积基片的更换而不能移动位置的缺陷。另外,常规步进电机由于使用了电子元器件和永磁材料,无法避免电子元器件在真空容器内爆炸及附着气体释放,以及永磁材料磁力线对基片纳米光栅沉积过程中的干扰, 本实用新型采用不使用电子元器件和永磁材料,仅使用线圈和机械部件的方法成功设计了该装置。
实现本实用新型目的的技术方案是:
一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置,主要由电磁击打器、位移发生器、标准位移物件收集器、传动机构和基片位移部件组成,电磁击打器和标准位移物件收集器分别置于位移发生器的槽管通孔两侧,位移发生器上的位移牵引器伸出槽管外部分通过传动机构与基片位移部件上的基片位移架或者配重平衡块连接,基片位移架和配重平衡块通过钢丝软线、滑轮相互连接。
所述电磁击打器包括两个带通孔铁心的固定线圈、置于固定线圈之间的带线圈活动铁心击打头和与活动铁心击打头轴线上连接的非金属击打棒。非金属击打棒在固定线圈的铁心通孔内可自由滑动,在容器外控制装置的控制下,固定线圈与击打头线圈发生电磁作用,推动击打头产生直线往复运动,动作完成后断开电源,避免了电磁感应和采用永磁组件对激光驻波场纳米光栅研究中的干扰。电磁击打器各线圈的供电由真空容器外的控制装置提供三组电源,采用常规手段密封引入。
所述位移发生器包括数个用具有一定刚性的材料如金属、聚四氟乙烯、 陶瓷、玻璃等制成的大小相同形状一致的球体或者是至少有两个平行端面的圆柱体或多面体物件(下述简称为标准位移物件),以及位移牵引器、弹性物件、槽管。标准位移物件、位移牵引器、弹性物件置于槽管内,位移牵引器置于标准位移物件与弹性物件之间,位移牵引器伸出槽管部分连接钢丝软线的一端。标准位移物件为球体时直径2-14mm, 标准位移物件为圆柱体或多面体时两平行端面距离2-14mm,标准位移物件、位移牵引器、弹性物件、槽管内部尺寸配套使用, 标准位移物件、位移牵引器与槽管滑动配合。
所述槽管两端带封闭部件,一端紧贴封口处开有垂直于槽管轴线的通孔,孔大小可供标准位移物件进出,槽管上的槽路平行于轴线,带线圈活动铁心击打头上连接的非金属击打棒可将标准位移物件通过该通孔推出。 置于通孔另一侧的标准位移物件收集器用于收集被推出的标准位移物件。
所述基片位移部件包括基片位移架、配重平衡块、滑轮、支架。基片位移架上装有普通夹具,配重平衡块连接钢丝软线的另一端,基片位移架与配重平衡块通过另一钢丝软线、滑轮相互连接。
利用该实用新型所述的基片位置操控装置,可以实现在真空容器外操控容器内基片位置的移动,且每次基片移动的距离可以根据需要进行不同的调节,从而可以在保证真空度不变的条件下实现沉积基片的位置变化,有利于实现在同等真空度条件下纳米光栅沉积特性的比较,以判断其他因素对纳米光栅沉积的影响以及各项工作的进行。
附图说明
图1是真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置的整体结构示意图;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的