[实用新型]一种像素结构、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201220370853.0 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN202796955U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 李嘉鹏;王凤国 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 王黎延;任媛 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及基板设计领域,尤其涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。
背景技术
图1和图2为传统显示器中阵列基板的两种像素结构示意图,可以看出,传统的阵列基板中,数据线1与公共电极2之间的夹角为直角或锐角。
但是,生产实践中证明,在涂胶工艺过程中(特别是甩胶方式),如果像素区数据线和公共电极的交叠部位边缘角度较小,则极易出现气泡残留于交叠边缘处光刻(Photo Resist,PR)胶中的情况,从而使得该交叠边缘在曝光时得不到光刻胶层的保护,最终导致钝化层被刻蚀,造成数据线和公共电极之间发生短路(DATA Line And Common Line Short,DCS),影响产品合格率。
另外,数据线与栅极扫描线的交叠部位也存在同样的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种像素结构、阵列基板及显示装置,能够解决现有技术中因数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线发生短路导致产品合格率下降的问题。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
本实用新型提供一种像素结构,该像素结构中,数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为钝角。
优选的,上述的像素结构中,数据线与公共电极,和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为140°至160°。
其中,在上述的像素结构中,在数据线与公共电极交叠区域附近,公共电极逐渐变宽和/或数据线逐渐变宽。
其中,在上述的像素结构中,数据线与公共电极之间设置有绝缘层,数据线与公共电极在像素区交叠区域的绝缘层厚度小于非交叠区域的绝缘层厚度。
其中,在上述的像素结构中,在数据线与栅极扫描线交叠区域附近,栅极扫描线逐渐变宽和/或数据线逐渐变宽。
其中,在上述的像素结构中,数据线与栅极扫描线之间设置有绝缘层,数据线与栅极扫描线在像素区交叠区域的绝缘层厚度小于非交叠区域的绝缘层厚度。
本实用新型提供一种阵列基板,该阵列基板包括上述的像素结构。
优选的,上述阵列基板为薄膜场效应晶体管TFT基板。
本实用新型还提供一种显示装置该显示装置包括上述的阵列基板。
本实用新型实施例涉及的像素结构、阵列基板及显示装置,数据线与公共电极,和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为钝角。本实用新型通过对像素区数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线的交叠部位角度进行钝角设计,可以避免涂胶工艺过程中光刻胶中气泡残留造成数据线与公共电极之间发生短路和/或数据线与栅极扫描线之间发生短路,进而提高产品合格率。
附图说明
图1为传统阵列基板的一种像素结构示意图;
图2为传统阵列基板的另一种像素结构示意图;
图3为本实用新型实施例一种像素结构示意图。
附图标记说明:
1、数据线;2、公共电极。
具体实施方式
本实用新型提出一种像素结构,该像素结构中,数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为钝角。
优选的,数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为140°至160°,实验验证,在该交叠角度范围内,残留于交叠边缘处光刻胶中气泡较少,从而能够避免数据线与公共电极之间发生短路和/或数据线与栅极扫描线之间发生短路。
可选的,在数据线与公共电极交叠区域附近,公共电极逐渐变宽和/或数据线逐渐变宽。
可选的,在数据线与栅极扫描线交叠区域附近,栅极扫描线逐渐变宽和/或数据线逐渐变宽。
需要说明的是,由于数据线、公共电极、栅极扫描线太宽可能会影响开口率,因此,应当使数据线、公共电极、栅极扫描线的最宽处(交叠区域附近)保持与现有技术中的宽度一致,其他部分的宽度小于现有技术中的相应宽度。
一般在数据线与公共电极之间、以及数据线与栅极扫描线之间设置有绝缘层,可选的,数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线在像素区交叠区域的绝缘层厚度小于非交叠区域的绝缘层厚度,这样可以减小数据线与公共电极之间、以及数据线与栅极扫描线之间的断差,可以进一步减少残留于交叠边缘处光刻胶中气泡,避免数据线与公共电极之间发生短路和/或数据线与栅极扫描线之间发生短路。
图3为本实用新型实施例一种像素结构示意图,如图3所示,数据线与公共电极的交叠角度为钝角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的