[实用新型]具有双角度的台面造型的芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体芯片结构，具体是一种半导体芯片的台面造型结构。

背景技术

随着功率器件制造技术的进步，电力整流管朝着大电流、高电压的方向发展。为了提高器件的工作电压，就必须要同时提高电力整流管芯片的承载高电压的能力。

在现阶段的技术领域中，业内通常采用的方法是沿着圆形的芯片边缘一周研磨出一定角度和宽度的锥形斜面或弧面（统称为芯片的台面），从而使芯片具有一定的击穿电压。而随着不同角度磨角器搭配研磨工艺新应用技术的出现，芯片边缘一周研磨成多角度台面造型，使电力整流管芯片具有了承载更高反向击穿电压的能力。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:提供一种具有双角度的台面造型的芯片，这种芯片台面造型使得电力整流管芯片具有承载高反向击穿电压的能力。

本实用新型采用以下技术方案解决上述技术问题的：一种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构，所述具有双角度的台面造型的芯片包括：呈圆柱形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的第二斜面体，所述芯片主体、第一斜面体、第二斜面体为一体结构，第一斜面体与第二斜面体的侧面形成一锥形角。

本实用新型进一步具体为：所述第一斜面体的下表面与芯片主体直径相同，并且边缘重合，所述第二斜面体的下表面与第一斜面体的上表面的直径相同，并且边缘重合。

本实用新型进一步具体为：所述第一斜面体的圆周侧面为圆锥形斜面，该斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于25度；

所述第二斜面体的圆周侧面为圆锥形斜面，该斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于20度。

本实用新型进一步具体为：所述第二斜面体的斜面相对于水平面的倾角小于第一斜面体的斜面相对于水平面的倾角。

本实用新型的优点在于：通过两个锥形磨角器的角度搭配研磨成的芯片台面造型，能够使电力整流管芯片具有承载高反向击穿电压的能力。

附图说明

图1是本实用新型一种具有双斜面造型芯片的截面图。

具体实施方式

请参阅图1所示，本实用新型是一种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构。芯片台面为芯片边缘一周具有一定角度和宽度的锥形双斜面造型。芯片内圆部分（除台面的剩余部分）为芯片的应接面积部分。

所述芯片包括呈圆形的芯片主体1、位于芯片主体1上方的第一斜面体2、位于第一斜面体2上方的第二斜面体3。所述芯片主体1、第一斜面体2、第二斜面体3为一体结构。

所述第一斜面体2的下表面与芯片主体1的直径相同，并且边缘重合；所述第二斜面体3的下表面与第一斜面体2的上表面的直径相同，并且边缘重合。

所述第一斜面体2的圆周侧面为斜面22，斜面22各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于25度。

所述第二斜面体3的圆周侧面为斜面32，斜面32各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于20度。

所述第二斜面体3的斜面32相对于水平面的倾斜角小于第一斜面体2的斜面22相对于水平面的倾斜角，从而在芯片的第二斜面体3与第一斜面体2的斜面连接间形成一定角度。

本实用新型是采用手工磨角方式，即用手将芯片按压在磨角器上，磨角器由电机带动同步旋转，手工控制使芯片的边缘磨出需要的锥形角度。通过两个不同角度锥形磨角器的搭配而研磨成的芯片台面造型，使得电力整流管芯片具有承载高反向击穿电压的能力。

以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。