[实用新型]一种阵列基板和一种显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板和一种显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式、VA（Vertical Alignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane-Switching，平面方向转换）模式和AD-SDS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术，简称ADS）模式等。

其中，基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

如图1所示，以现有的ADS模式的TFT-LCD阵列基板为例，其结构包括：玻璃基板10、依次形成于玻璃基板10之上的栅线层（包括栅极11），栅极绝缘层12，有源层13，数据线层（包括源极14、漏极15），第一钝化层16，像素电极17（即板状电极），第二钝化层18和公共电极19（即狭缝电极），其中，像素电极17穿过第一钝化层16上的过孔21与漏极15连接。

在现有技术中，形成第一钝化层上的过孔通常包括如下步骤：在第一钝化层上涂覆光刻胶；对涂覆光刻胶后的基板进行曝光、显影，去除过孔位置的光刻胶（过孔位置以外的光刻胶形成刻蚀保护掩模）；对过孔位置进行刻蚀，形成过孔；对基板上残留的光刻胶进行剥离。

现有技术存在的缺陷在于，由于第一钝化层的厚度较薄（通常在1~3微米之间），图中的厚度仅是为了方便作图，示意性的厚度，在对过孔位置进行刻蚀时，生产工艺较难控制，极易刻蚀掉过孔下方的部分或全部金属，造成过度刻蚀，最终导致产品缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板和一种显示装置，用以解决现有技术中存在的过孔刻蚀工艺较难控制，易造成过度刻蚀，导致产品缺陷的技术问题。

本实用新型阵列基板，包括：包含多条数据线的数据线层，位于所述数据线层之上、包含多个导电阻挡部的导电阻挡层，位于所述导电阻挡层之上的钝化层，以及位于所述钝化层之上的透明导电层，其中，在每一条数据线的上方：

所述钝化层上设置有过孔；

所述导电阻挡部位于过孔下方，并与对应的数据线接触；

所述透明导电层通过过孔与对应的导电阻挡部连接。

优选的，所述钝化层材质为非感光型树脂。

优选的，所述导电阻挡部与透明导电层材质相同。

较佳的，所述导电阻挡部材质为氧化铟锡。

优选的，在每一条数据线的上方，所述导电阻挡部覆盖对应的所述数据线。

较佳的，所述数据线包括源极和漏极，所述导电阻挡部覆盖对应的所述漏极。

本实用新型显示装置，包括前述任一技术方案所述的阵列基板。

在本实用新型阵列基板中，由于所述导电阻挡部位于过孔下方，并与对应的数据线接触，因此，当对钝化层进行刻蚀形成过孔时，导电阻挡部可有效保护数据线层金属不被刻蚀掉，大大提高了产品的合格率。

附图说明

图1为现有ADS模式的TFT-LCD阵列基板结构示意图；

图2为本实用新型阵列基板第一实施例结构示意图；

图3为本实用新型阵列基板第二实施例结构示意图；

图4为制造本实用新型阵列基板的方法流程示意图。

附图标记：

10-玻璃基板      11-栅极

12-栅极绝缘层    13-有源层

14-源极          15-漏极

16-第一钝化层    17-像素电极

18-第二钝化层    19-公共电极

20-透明基板      30-导电阻挡部

21-过孔          22-数据线

23-钝化层        24-透明导电层

25-第二透明导电层