[实用新型]一种新型多晶硅还原炉高压启动装置

说明书

一、技术领域

本实用新型涉及一种新型多晶硅还原炉高压启动装置，用于西门子法多晶硅生产的硅芯击穿启动阶段。 

二、背景技术

目前，国内高压启动系统一般都为升压变压器原边晶闸管移相控制来控制高压启动过程中的电流大小，同时都有一台为高压启动装置提供电源的专用变压器和一套隔离柜用于断开高压启动时与正常电源的连接，该方案不仅控制方法复杂，需要晶闸管触发模块，而且还需要专用变压器和大量的高压开关柜，占用较大用地面积及投资成本。另一方面，国内一般高压启动为每对硅芯单独隔离供电，当其中硅芯电极绝缘被击穿后从电流变化上无法判断是硅芯被击穿还是电极被破坏，如果不及时关闭电源会使电极及还原炉底盘遭受更加严重的破坏。 

三、实用新型内容

本实用新型提供一种新型多晶硅还原炉高压启动装置。主要针对一组4对硅芯进行高压击穿的多晶硅还原炉高压启动装置，该装置直接使用还原炉工艺变压器二次侧电源升压为高压启动电源，通过其方法在保证高低压电源的安全隔离前提下将负载硅芯直接连接到升压变压器的输出上，节省大量的高压开关柜；并且控制方法由变压器原边晶闸管控制变为接触器控制，简化控制方案，同时还能检测出还原炉电极在高压启动的过程中是否有被击穿。 

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：它包括顺序连接的电抗器，变压器，控制开关，两种不同电压等级的单相升压，采用同名端相联的方式直接连接到负载硅芯上，在硅芯负载首末端连接有接地电阻和接地刀闸；每对硅芯对应一台高电压等级的升压变压器，每两对硅芯对应一台低电压等级升压变压器，高电压等级升压变压器原边串联电抗器，低电压等级升压变压器为高短路阻抗变压器；负载硅芯直接连接到单相升压变压器的输出上，每对硅芯对应一台高电压等级升压变压器共4台，每两对硅芯对应一台低电压等级升压变压器共2台，变压器与变压器同名端相联，在硅芯负载首端联接一接地电阻和电流变送器并通过一接地刀闸接地，硅芯负载末端直接通过一接地刀闸接地，所有接地刀闸由同一电动马达控制；在变压器的输出回路和接地电阻回路中分别设置有电流变送器，用于检测高压启动电流和接地电流。 

本实用新型的有益效果是，整套装置无需配备用于高压启动的独立变压器和高压开关柜隔离高压和正常电源，节省大量成本；PLC仅控制接触器的通断，电流控制主要由电路本身限制，控制简单；在启动过程中可以检测是否存在还原炉电极被击穿。 

四、附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。 

图2是本实用新型的系统框图。 

图中：1----硅芯负载，2----高电压等级升压变压器，3----低电压等级升压变压器，4----限流电抗器，5----接触器，6----熔断器，7----接地电阻，8----接地刀闸，9----电流变送器，10----电源。 

五、具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。 

参照附图，本实用新型它包括顺序连接的电抗器，变压器，控制开关，两种不同电压等级的单相升压，采用同名端相联的方式直接连接到负载硅芯上，在硅芯负载首末端连接有接地电阻和接地刀闸；每对硅芯对应一台高电压等级的升压变压器，每两对硅芯对应一台低电压等级升压变压器，高电压等级升压变压器原边串联电抗器，低电压等级升压变压器为高短路阻抗变压器。负载硅芯直接连接到单相升压变压器的输出上，每对硅芯对应一台高电压等级升压变压器共4台，每两对硅芯对应一台低电压等级升压变压器共2台，变压器与变压器同名端相联，在硅芯负载首端联接一接地电阻和电流变送器并通过一接地刀闸接地，硅芯负载末端直接通过一接地刀闸接地，所有接地刀闸由同一电动马达控制。在变压器的输出回路和接地电阻回路中分别设置有电流变送器，用于检测高压启动电流和接地电流。