[实用新型]一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及医疗测量领域，特别涉及一种测量脑部水肿变化的装置。

背景技术

在临床医学上，脑水肿(脑梗塞和脑出血)是近年国内发病率和死亡率均进入前三位的常见致死性病变。抢救是否及时，是挽救生命和减少后遗症的关键。临床脑水肿主要通过CT、常规磁共振(MRI)及MRI弥散加权成像(DWI)等方式检测，虽可准确判断瞬时脑水肿的范围和程度，在临床过程中，缺乏实时的水肿演变信息。由于CT的放射性，CT不能长期使用，是不适合用做临床监护。

近年研究表明，从脑出血开始到48小时以内，有大约30％-50％的病人的出血仍在继续。另外，出血48小时-72小时后，血肿周围的脑组织开始出现水肿，以后水肿继续发展数周，使神经细胞逐渐凋亡，所以，在脑水肿发生和发展的数周内的治疗与用药，是拯救病人和预后是否良好的关键。中国实用新型专利公开日为2003年5月28日，公开号为CN1419889A，实用新型创造名称为“无创临床监测颅内水肿的方法”，公开了一种无创临床监测颅内水肿的方法，诊断脑积水时，大多数医生利用头部CT或MRI扫描。另一方面，目前监测技术主要包括侵入性的方法，如颅内压监测，腰穿（LP），或使用在脑脊液中插入电极测量脑脊液阻抗。在这些程序中，一个洞是必需的，以评估颅内环境，有时LP可引起脑疝死亡。近日，基于医用超声技术的经颅超声（TCS）已经开发了无创性评估脑积水的技术，但是上述方法都没有提供24个小时床旁监护。

因此急需一种对脑部组织引起的水肿情况进行测量装。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种对脑部组织引起的水肿情况进行测量装置。该装置根据不同脑组织阻抗拥有不同的电容量，通过测量脑部组织阻抗的变化可以表明大脑情况的变化。

本实用新型的目的是提出一种对脑部组织引起的水肿情况进行测量装。

本实用新型的目的是这样实现的：

本实用新型提供的一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量装置，包括信号发生器、发射电极、接收电极、信号处理器和显示单元，

所述信号发生器，用于生成设定的电磁波；

所述发射电极，用于向人脑发射信号编码发生产生的电磁波；

所述接收电极，用于接收穿过人脑的电磁波信号；

所述信号处理器，用于处理分析接收电极所接收的电磁波信号；

所述显示单元，用于显示信号处理器输出的信号。

进一步，还包括频率调节装置，所述频率调节装置与发射电极连接，用于改变发射电极发出的电磁波的频率。

进一步，所述信号处理器根据传输线的特性阻抗Z₀值、传输线的长度l值以及获得的在距离l处的测量阻抗Z(l)并按照以下公式来计算负载阻抗的处理器：

ZL=Z0Z(l)-jZ0tan(kl)Z0-jZ(l)tan(kl),]]>

其中，Z_L是被测量的负载阻抗，Z₀是传输线的特性阻抗，Z(l)表示在距离l处的测量阻抗，是波数，ω是电磁波的角频率，μ是导磁系数，ε是介电常数，tan(kl)是周期函数。

进一步，所述传输线采用1/4波长的光缆。

进一步，所述传输线为具有不同特性阻抗Z₀的细制铜线电缆。