[实用新型]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，是在基板上具备顺序含有反射层和活性层的化合物半导体层，将光从光射出孔射出到外部的发光二极管，其特征在于， 

包括：具有上表面和侧面的支持结构部；和配置于该支持结构部上，具有倾斜侧面和顶面，并且水平截面为与所述光射出孔的形状相似的形状的台面型结构部， 

所述台面型结构部是至少包含所述活性层的一部分的结构部，所述倾斜侧面具有向下凸的形状的曲面，并且，朝向所述顶面，水平方向的截面积连续变小地形成， 

所述支持结构部和所述台面型结构部各自至少一部分被保护膜、第1电极膜依次覆盖， 

所述保护膜覆盖所述上表面的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且，具有俯视时在所述周缘区域的内侧、且配置于所述光射出孔的周围，将所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗， 

所述第1电极膜是以下述方式形成的连续膜：与从所述通电窗露出的化合物半导体层的表面直接接触，并且覆盖在所述上表面上形成的保护膜的至少一部分，在所述台面型结构部的顶面上具有光射出孔， 

在所述基板的与反射层相反的一侧具有第2电极膜。 

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜侧面是通过湿式蚀刻形成的。 

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述支持结构部是至少包含所述反射层的一部分的结构部，其侧面具有向下凸的形状的曲面，包含从所述上表面向所述基板侧至少延伸到越过所述反射层的位置的倾斜部，包含该倾斜部的水平方向的截面积朝向所述上表面连续变小地形成。 

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述支持结构部 是至少包含所述反射层的一部分的结构部，其侧面具有向下凸的形状的曲面，包含从所述上表面向所述基板侧至少延伸到越过所述反射层的位置的倾斜部，包含该倾斜部的水平方向的截面积朝向所述上表面连续变小地形成。 

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述支持结构部的侧面是通过湿式蚀刻形成的。 

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述支持结构部的侧面是通过湿式蚀刻形成的。 

7.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔的形状为圆形。 

8.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层为DBR反射层。 

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，在所述活性层的与基板相反的一侧具有上部DBR反射层。 

10.根据权利要求3～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜部包含两个以上的倾斜部分，包含各倾斜部分的水平方向的截面积，分别朝向所述上表面连续地变小，包含接近所述上表面的倾斜部分的水平方向的截面积，越趋向接近基板侧的倾斜部分即下方侧的倾斜部分就越大。 

11.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，在所述第1电极膜和/或所述保护膜上具有漏光防止膜。 

12.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述化合物半导体层具有与所述第1电极膜接触的接触层。 

13.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部包含所述活性层的全部、和所述反射层的一部分或全部。 

14.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部的高度为3～7μm，俯视时所述倾斜侧面的宽度为0.5～7μm。 

15.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所 述光射出孔的直径为50～150μm。 

16.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在所述第1电极膜的所述上表面上的部分具有接合线。 

17.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层中所包含的发光层为多量子阱结构。 

18.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层中所包含的发光层为AlGaInP层、GaInP层、AlInP层、AlGaP层、GaP层、AlP层、AlGaAs层、GaAs层、AlAs层、InGaAs层、InAs层的任一种。