[实用新型]一种氮化镓基器件中继器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高性能中继器，尤其是涉及一种高性能采用氮化镓基器件中继器。

背景技术

中继器是局域网环境下用来延长网络距离的最简单最廉价的互联设备，操作在OSI的物理层，中继器对在线路上的信号具有放大再生的功能。中继器是最简单的网络互联设备，主要完成物理层的功能，负责在两个节点的物理层上按位传递信息，完成信号的复制、调整和放大功能，以此来延长网络的长度。由于存在损耗，在线路上传输的信号功率会逐渐衰减，衰减到一定程度时将造成信号失真，因此会导致接收错误。中继器就是为解决这一问题而设计的。它完成物理线路的连接，对衰减的信号进行放大，保持与原数据相同。现有的中继器动态范围小，交调失真及互调失真大，稳定性差，具有很大的局限性。

新型半导体材料的研究和突破，常常引发新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料，是继第一代半导体材料和第二代半导体材料之后，在近10年发展起来的新型宽带半导体材料。氮化镓材料在自然界中是不存在的，它只存在于最先进的实验室中，对它的研究起始于20世纪三十年代。氮化镓材料目前广泛的应用于第三代通信系统，是国际上广泛关注的新型宽禁带化合物半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击穿电场、高电子饱和漂移速率、高频率、高功率、耐高温及强压电性能等优良特性，并且还是良好的发光材料。同时由于氮化镓材料具有优良的压电性能，目前被广泛的应用于声学应用中。它已经并将继续改变着我们的生活，对它的研究开发会带来IT行业数字化存储技术的革命。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种氮化镓基器件中继器。

为了解决上述技术问题，本实用新型公开了一种氮化镓基器件中继器，包括顺序连接的第一匹配器、第二匹配器、第三匹配器以及第四匹配器；

所述第一匹配器与第二匹配器之间连接第一氮化镓带通声表面波滤波器；

所述第二匹配器与第三匹配器之间连接氮化镓功率放大器；

所述第三匹配器与第四匹配器之间连接第二氮化镓带通声表面波滤波器。

本实用新型中，所述氮化镓带通声表面波滤波器包含基片，设置在基片上的输入换能器和输出换能器，输入换能器和输出换能器分别由电极和指条组成。

本实用新型中，所述基片上位于输入换能器和输出换能器外侧的部分设有吸声材料层。

本实用新型中，所述氮化镓带通声表面波滤波器可以为分裂指声表面波滤波器。

有益效果：本实用新型的优点是：

1．       本实用新型中均采用氮化镓器件进行设计，有利于实现电子器件小型化，便于集成，待氮化镓工艺成熟可进行单片设计。

2．       氮化镓具有高功率密度，本发明可以满足大功率应用。

3．            本发明具有较大的动态范围。

4．       本实用新型可以降低中继器的交调失真及互调失真。

5．       本实用新型具有良好的热稳定性，工作可靠性高，输出功率大的特性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做更进一步的具体说明，本实用新型的上述和/或其他方面的优点将会变得更加清楚。

图1为本实用新型的氮化镓基器件中继器的结构图。

图2为本实用新型的氮化镓声表面波滤波器结构图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型一种氮化镓基器件中继器，包括顺序连接的第一匹配器2、第二匹配器4、第三匹配器6以及第四匹配器8。所述第一匹配器2与第二匹配器4之间连接第一氮化镓带通声表面波滤波器3；所述第二匹配器4与第三匹配器6之间连接氮化镓功率放大器5；所述第三匹配器6与第四匹配器8之间连接第二氮化镓带通声表面波滤波器7。第一匹配器2连接输入端1，第二氮化镓带通声表面波滤波器7连接输出端9。

如图2所示，所述氮化镓带通声表面波滤波器包含基片31，设置在基片31上的输入换能器32和输出换能器33，输入换能器32电极321和指条322组成。输出换能器结构与输入换能器结构相同。所述基片31上位于输入换能器32和输出换能器33外侧的部分设有吸声材料层34。

实施例