[实用新型]一种SR569T20型低频偏低损耗声表面波谐振器

说明书

技术领域

本实用新型涉及声表面波器件技术领域，尤其涉及一种SR569T20型低频偏低损耗声表面波谐振器。

背景技术

当具有压电效应的晶体受到外应力作用时，会产生与应力成正比的电场；反之，当晶体受到外电场作用时，晶体同时也产生与外电场成正比的弹性形变，该弹性形变激发出声波，激发的声波沿晶体表面传播形成声表面波。利用上述声表面波的传播即可实现电信号到声信号以及声信号到电信号的转换。

声表面波谐振器是指在压电晶片上制作叉指换能器，同时在叉指换能器两侧还设置有反射阵列。该叉指换能器可以完成声-电转换，该反射阵列形成分布式谐振腔，在某一频率上，当该谐振腔的长度等于半波长的整数倍时即形成声谐振，该声谐振由叉指换能器转换为电谐振从而实现声表面波谐振器的功能。

现有的声表面波谐振器由于其叉指换能器和反射阵列制作的不完善，具有频率偏差较大、插入损耗较大的缺点。并且现有的声表面波谐振器的中心频率一般为315MHZ、433MHZ，该频段复用率高，信道拥堵现象严重，构成专用无线系统时，抗干扰及安全性差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足，提供了一种安全性好、损耗较低的声表面波谐振器。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是提出一种SR569T20型低频偏低损耗声表面波谐振器，其包括压电晶片、设置于压电晶片上的叉指换能器以及设置于叉指换能器两侧的第一短路指反射阵和第二短路指反射阵；所述叉指换能器与所述第一短路指反射阵和第二短路指反射阵由铜铝合金制成，所述叉指换能器与所述第一短路指反射阵和第二短路指反射阵的厚度经过高频FEM优化。使得膜厚精度和一致性高，谐振器频率偏差小。所述高频FEM是一种基于有限元理论的结构分析方法。

进一步地，所述声表面波谐振器的中心频率为569.3MHZ，频率偏差为±20kHz，插入损耗为1.5dB。

进一步地，所述叉指换能器包括平行设置的第一换能器电极条以技第二换能器电极条，所述第一换能器电极条以及第二换能器电极条之间等间距的排布有多条金属条，其中部分金属条将第一换能器电极条和第二换能器电极条连接，部分金属条由第一换能器电极条向第二换能器电极条延伸且不与第二换能器电极条连接，部分金属条由第二换能器电极条向第一换能器电极条延伸且不与第一换能器电极条连接。

进一步地，所述第一短路指反射阵和第二短路指反射阵结构相同，均包括平行设置的第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条，第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条之间等间距的连接有多条短路金属条，该多条短路金属条均将第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条连接。

本实用新型声表面波谐振器通过设计叉指换能器的结构并采用铜铝合金质的结构材料使得其中心频率较常规声表面波谐振器高，金属结构尺度较小、插入损耗较低、谐振器频率偏差较小。同时，本实用新型声表面波谐振器的谐振频段避开了信号拥堵的通用频段，用于专用无线系统时，安全性高，抗干扰能力强。

附图说明

图1是本实用新型声表面波谐振器的结构示意图；

图2是图1中叉指换能器的结构示意图；

图3是本实用新型声表面波谐振器的封装结构示意图。

具体实施方式

以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。

请参照图1，图1为本实用新型声表面波谐振器的结构示意图，图1中，声表面谐振器包括压电晶片5，设置于压电晶片5上的叉指换能器6，设置于叉指换能器6两侧的第一短路指反射阵7和第二短路指反射阵8。

本实用新型中，叉指换能器6与第一短路指反射阵7和第二短路指反射阵8均由铜铝合金材料制成，具有质地致密，谐振性能好，同时中心频率较常规声表面波谐振器高，金属结构尺度较小的优点，因而可以实现较低的插入损耗。

更优选地，本实用新型中，制成叉指换能器6与第一短路指反射阵7和第二短路指反射阵8的铜铝合金膜还经过高频FEM优化，以减小频偏。