[实用新型]用于表面电容触摸屏的功能片

说明书

技术领域

本实用新型涉及电容触摸屏领域，尤其涉及用于表面电容触摸屏的功能片。

背景技术

由于苹果公司推出的iphone提供的友好人机界面，流畅操作性能使电容式触摸屏受到了市场追捧，各种电容式触摸屏产品纷纷面世。而且随着工艺进步，它的成本不断下降，开始显现逐步取代电阻式触摸屏的趋势，其中电容触摸屏又分为感应和表面电容两种方式；

感应电容式在两层ITO涂层上蚀刻出不同的ITO模块，此种结构制作简单，工艺成熟，现在国内很多中小型生产功能片的厂家都在批量生产，但所有双面ITO结构电容屏都涉及苹果公司的专利，国内一、二线的手机生产厂家如果采用此类触摸屏有面临官司的风险，故国内的电容屏厂家都在开发表面电容触摸屏，搭桥处常规工艺一般采用金属MO-AL-MO搭桥，但此工艺在生产功能片过程中，搭桥处的金属容易出现断路，造成前段的生产良率过低。 

实用新型内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种用于表面电容触摸屏的功能片。

本实用新型提供了一种用于表面电容触摸屏的功能片，包括用于做桥的第一ITO膜层、绝缘胶层、用于做为线路层的第二ITO膜层、用于做为电极的钼铝钼膜层，所述绝缘胶层布置于所述第一ITO膜层上方，所述第二ITO膜层布置于所述绝缘胶层上方，所述钼铝钼膜层布置于所述第二ITO膜层上方。

作为本实用新型的进一步改进，该功能片还包括玻璃底层，所述第一ITO膜层布置于所述玻璃底层上方。

作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘胶层采用介电绝缘层。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一ITO膜层厚度为30nm。

作为本实用新型的进一步改进，所述钼铝钼膜层镀于所述第二ITO膜层表面上。

本实用新型的有益效果是：将桥放在玻璃底层上，减少后段生产过程中桥不可避免的磨擦外物而导制传感器造成报废，而且ITO膜层耐膜，稳定性能好，使此类功能片寿命更长，当在钼铝钼膜层上刻蚀表面金属层时，只要刻出电极就好，而不必即要刻电极，又要刻桥，减少了不良发生的可能性。

附图说明

图1是本实用新型的剖面结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型公开了一种用于表面电容触摸屏的功能片，包括用于做桥的第一ITO膜层2、绝缘胶层3、用于做为线路层的第二ITO膜层4、用于做为电极的钼铝钼膜层5，所述绝缘胶3层布置于所述第一ITO膜层2上方，所述第二ITO膜层4布置于所述绝缘胶层3上方，所述钼铝钼膜层5布置于所述第二ITO膜层4上方。

该功能片还包括玻璃底层1，所述第一ITO膜层2布置于所述玻璃底层1上方。

所述绝缘胶层3采用采用介电绝缘层，介电绝缘层也就是本领域所称的OC绝缘胶。

所述钼铝钼膜层5镀于所述第二ITO膜层4表面上。

制作时，首先在玻璃底层1镀一层第一ITO膜层2用来做桥，在桥上涂OC绝缘胶后，低温沉积第二ITO膜层4，对第二ITO膜层4经过黄光刻蚀后，再在第二ITO膜层4表面镀一层MO-AL-MO作电极。该MO-AL-MO膜层即是钼铝钼膜层5。所述第一ITO膜层2厚度为30nm。

本实用新型的有效效果是将桥放在玻璃底层1上，减少后段生产过程中桥不可避免的磨擦外物而导制功能片（senser）造成报废，而且ITO膜层耐膜，稳定性能好，使此类功能片寿命更长，当在钼铝钼膜层5上刻蚀表面金属层时，只要刻出电极就好，而不必即要刻电极，又要刻桥，减少了不良发生的可能性，当刻蚀完金属后，表面不可避免的出现金属残留时，也可以通过手工返修功能片，大大提高产品的直通率。

ITO膜层包括第一ITO膜层2和第二ITO膜层4。

本实用新型根据ITO膜层比MO-AL-MO膜层耐磨、稳定性强等特点，用第一ITO膜层2来取代MO-AL-MO膜层来搭桥，此过程工艺简单，对设备精度要求不高，对于国内普通的功能片生产厂家量产表面式电容功能片提供可行性。

ITO膜层的主要成份是氧化铟锡，在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强。 

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。