[实用新型]一种薄膜太阳能模块有效
| 申请号: | 201220321404.7 | 申请日: | 2012-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN202721141U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
| 发明(设计)人: | 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 | 申请(专利权)人: | 广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518000 广东省东莞市松山湖科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能模块。
背景技术
原有的薄膜太阳能模块存在大小不等的针孔,硫化镉和氧化锌等薄膜,除了他们本身的功能外,它们同时附有填补针孔的绝缘的功能。铜铟镓硒的模组制造,是需将芯片最低层的钼与其边上最上层的导电材料,则负电极-氧化锌串联起来,但为了暴露钼底层,我们必先将它上层的铜铟镓硒和无参杂物的,层进行彻割;而通常在彻割时,又没能将氧化锌清除干净,或划伤下面的钼薄膜。
“硫化镉”和“氧化锌”等薄膜本身的功能,是让其金属元素,如“镉”和“锌”等金属,参杂入“铜铟镓硒”薄膜,使其上层成为“”的半导体,建立“光伏电池”的“p-n接”功能;但当我们将这两层薄膜材料用来填补“针孔”时,含盐酸的“镉”或“锌”本身,将会阻碍它的“针孔”绝缘功能。无论是使用蒸发或溅射来镀膜,都有颗粒污染的可能,比如基板上架时的污染,或真空舱体内部在溅射时的污染;虽然我们考虑“溅射镀膜”是为了加快生产速度及降低成本,但又必需使用容易产生颗粒污染的高压靶材,则“铜,铟,镓,硒”四元素的固态靶材;正如“硫化锌”和“氧化铟锡”在溅射过程中的“针孔”现象。
减小靶材中的“空隙”也是防止污染的一种方法,但即使高温压制的靶材,其密度还是不足以完全避免颗粒的存在。
另一种颗粒污染是“铜铟镓硒”薄膜层,在本身结晶时,它和“钼”底层间的黏附力和薄膜组织缺陷引起的污染。
“针孔”的危害,在薄膜厚度减低时越是严重,污染颗粒的大小与薄膜的厚度越是接近,越容易形成有害的“针孔”;但为了节约材料费,“铜铟镓硒”薄膜的层厚,通常是设计在一个“微米”上下;使用较薄的“铜铟镓硒”薄膜也是为了避免“负电子-孔穴”重组的考虑。
同时,无参杂物的“氧化锌”作为绝缘层,而覆盖其上的“负电极-氧化锌参铝”似乎不是十分惜当的电流导电设计。加上,“氧化锌”是很薄的一层薄膜,上面“负电极-氧化锌参铝”层的“铝”很容易在退火时往下渗透,降低下层的绝缘效应。在有针孔的情况下,绝缘材料又必需填补在针孔之上,假如针孔内没有绝缘材料,上面的导电材料将会在“p-n接”处形成短路;所以哪怕当我们使用“氧化锌”和“硫化镉”作为绝缘层时,针孔的存在也可能成为“铜铟镓硒”薄膜层或它的上层“p-n接”的导电电路,使之短路。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题是提供一种铜铟镓硒芯片内部无针孔的薄膜太阳能模块。
为解决上述问题,本实用新型通过以下方案来实现:一种薄膜太阳能模块,在1.0毫米标准的钠钙玻璃基板上镀有0.35微米厚钼薄膜,所述钼薄膜上有1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜。
所述铜铟镓硒薄膜上面镀有0.05微米厚的硫化镉。
所述硫化镉上镀有无杂物的氧化锌绝缘层。
所述氧化锌上镀有导电透明的氧化锌参铝。
所述氧化锌参铝上表面镀镍。
所述镍上面设铝膜。
所述铝膜上面镀有保护铝的一层保护镍。
所述保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃。
本实用新型薄膜太阳能模块解决了避免和消除铜铟镓硒芯片内部针孔,生产过程中能够防止污染,降低了生产成本。
附图说明
图1是本实用新型的截面图。
具体实施方式
如图1所示,一种薄膜太阳能模块,在1.0毫米标准的钠钙玻璃基板1上镀有0.35微米厚钼薄膜2,所述钼薄膜2上有1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜3,铜铟镓硒薄膜3上面镀有0.05微米厚的硫化镉4,硫化镉4上镀有无杂物的氧化锌绝缘层5,氧化锌5上镀有导电透明的氧化锌参铝6,氧化锌参铝6上表面镀镍7,镍7上面设铝膜8,铝膜8上面镀有保护铝的一层保护镍9,保护镍9上面镀有钠钙覆盖玻璃10。
实施例:图1所示,“针孔”主要是在芯片切割电极底层时产生的尘埃或琐碎物的颗粒所致;我们在溅射“铜铟镓硒”薄膜层后,在切割成型后,在颗粒清除掉后,并在“针孔”已暴露后,新镀上的薄膜层容易形成导电通道,降低“光伏电池”的“转换效率”。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司,未经广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220321404.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种圆形自动排气阀
- 下一篇:一种挂车用防护栏连接结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





