[实用新型]用于电子标签中高频接口的过流保护器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子标签，具体是用于电子标签中高频接口的过流保护器。

背景技术

随着电子技术的迅猛发展和制造水平的不断提高，采用无线电实现的射频识别技术发展迅猛，射频识别电子标签作为一种非接触式IC卡，其将无线电技术和IC技术结合，通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。射频识别系统中电子标签的高频接口形成从阅读器到电子标签的高频传输通路，高频接口从其天线上吸收电流，并将吸收的电流整流后作为电子标签内芯片的电源。现有电子标签内芯片常常会因高频接口整流输出的电压过高而损坏，这就造成大量资源浪费。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了能抑制输入电子标签内电压过高的用于电子标签中高频接口的过流保护器。

本实用新型的目的主要通过以下技术方案实现：用于电子标签中高频接口的过流保护器，包括第一电阻、反相器、第一PMOS管及第二PMOS管，所述第一电阻两端分别与第一PMOS管漏极和第二PMOS管源极连接，第一PMOS管的源极接地，所述第二PMOS管为二极管连接的MOS管，所述反相器的输入端与第二PMOS管漏极连接，反相器的输出端与第一PMOS管栅极连接，所述第一PMOS管漏极与第一电阻之间的线路上连接有直流电压输入线。本实用新型中二极管连接的MOS管是将MOS管的栅极和漏极连接在一起，由于MOS管在一定电压下存在漏电流，所以本实用新型中二极管连接的MOS管用来模拟一个阻值很大的电阻，并且可以通过调整MOS管的参数来实现对阻值的控制。本实用新型中的直流电压输入线接收高频接口整流后的电压，输入的电压经过本实用新型处理后从第二PMOS管与第一电阻之间线路上外接的线路输出。

用于电子标签中高频接口的过流保护器，还包括第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管，所述第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管三者的栅极均连接在第二PMOS管源极与第一电阻之间的线路上，所述第一NMOS管漏极与第二PMOS管漏极和反相器之间的线路连接，第二NMOS管的源极和漏极分别与第三NMOS管漏极和第一NMOS管源极连接，第三NMOS管源极接地。

所述第一电阻为压敏电阻。本实用新型通过压敏电阻的作用，能进一步对本实用新型进行过压保护。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型包括第一电阻、反相器、第一PMOS管及第二PMOS管，其中，第一电阻两端分别与第一PMOS管漏极和第二PMOS管源极连接，第一PMOS管的源极接地，第二PMOS管为二极管连接的MOS管，反相器的输入端与第二PMOS管漏极连接，反相器的输出端与第一PMOS管栅极连接，直流电压输入线连接在第一PMOS管漏极与第一电阻之间的线路上，本实用新型采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且本实用新型在工作时若电压过高，可通过第一PMOS管进行泄压，进而能避免高频接口输入电子标签内芯片的电压过高。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

附图中附图标记所对应的名称为：R1—第一电阻，P1—第一PMOS管，P2—第二PMOS管，N1—第一NMOS管，N2—第二NMOS管，N3—第三NMOS管，N4—第四NMOS管，INV1—反相器，1—直流电压输入线。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例：

如图1所示，用于电子标签中高频接口的过流保护器，包括第一电阻R1、反相器INV1及五个MOS管，其中，第一电阻R1为压敏电阻，五个MOS管包括两个PMOS管和三个NMOS管，其中，两个PMOS管分别为第一PMOS管P1和第二PMOS管P2，三个NMOS管分别为第一NMOS管N1、第二NMOS管N2及第三NMOS管N3。第一电阻R1两端分别与第一PMOS管P1漏极和第二PMOS管P2源极连接，第一PMOS管P1的源极接地，第二PMOS管P2为二极管连接的MOS管，具体为第二PMOS管P2的栅极与其漏极连接。反相器INV1的输入端与第二PMOS管P2漏极连接，反相器INV1的输出端与第一PMOS管P1栅极连接，第一PMOS管P1漏极与第一电阻R1之间的线路上连接有直流电压输入线1。