[实用新型]一种自激推挽振荡电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种自激推挽振荡电路。

背景技术

目前，市面上自激推挽振荡多采用晶体三极管电路方式，此电路存在磁通不平衡的缺点。在上电时易出现正弦振荡，不稳定、不规则，造成电路在上电时输出电压低，输出电压上升过于缓慢，达到额定输出电压经常要几秒至十几秒，从而引起后续电路的不正常工作、单片机不能正常复位、后续电路不工作引发整体功能紊乱，此时磁芯偏离平衡点而趋向饱和，而饱和区的磁芯不能承受电压，当相应的开关管再次导通时，开关管将承受很大的电压和电流，导致开关管损坏。

发明内容

实用新型的目的在于提供一种改进性的自激推挽振荡电路，以稳定应用于直流变换器中。

本实用新型的目的可通过以下的技术措施来实现：一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路(4)；

所述LC滤波电路(1)具有电感L1和输入滤波电容C1，所述电感L1位于LC滤波电路(1)的输入端，电感L1的一端与电源Vin连接，电感L1的另一端与输入滤波电容C1串联，输入滤波电容C1的另一端与电源GND连接；

所述RC振荡电路(2)包括振荡电路R1和振荡电路C2，所述振荡电路R1的一端与电感L1的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器T1-2主饶组中间抽头连接；

振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。

所述振荡驱动及保护电路(3)包括反馈变压器T1-2，原级变压器T1-1，驱动电阻R2，驱动电阻R3，晶体管Q1和晶体管Q2，所述反馈变压器T1-2饶组两端分别于驱动电阻R2和R3的一端连接，驱动电阻R2和R3的另一端分别与晶体管Q1和晶体管Q2的栅极连接，原级变压器T1-1绕组两端分别与Q1的漏极，Q2的源极连接，Q1的源极和Q2的漏极与电源GND连接，保护电路C3两端分别接于Q1，Q2的漏极之间。

所述电感L1中采用的电感为DIP工字磁芯DR4*6、DR6*8或SMD贴片CD32、CD43、CD54、SM104、和SM107电感。

本实用新型的有益效果：

电路采用MOSFET场效应管后，可以大大减少变压器的磁通不平衡问题。首先，MOSFET场效应管没有存储时间，在交替的半周期内，对于相等的栅极导通次数，漏极电压导通次数总是相等。因此在交替的半周期中施加到变压器上的伏秒数相等。第二，对于MOSFET场效应管，Rds(on)的正温度系数形成的负反馈阻止了磁通不平衡问题的产生。通过场效应管Rds(on)导通压降增加及减少原理，使绕组上的电压上升及下降，提高及降低伏秒数，从而使磁芯向磁化曲线的中心复位，达到磁通平衡的目的。从而达到电路正常正常工作的目的。

附图说明：

图1为本实用新型的电路原理图；

图2为LC滤波电路的示意图；

图3为RC振荡电路的示意图；

图4为振荡驱动及保护电路的示意图；

图5为整流滤波电路的示意图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本实用新型做了进一步的描述。

如图1-5所示，一种自激推挽振荡电路，包括LC滤波电路(1)，RC振荡电路(2)，振荡驱动及保护电路(3)和整流滤波电路(4)；

所述LC滤波电路(1)具有电感L1和输入滤波电容C1，所述电感L1位于LC滤波电路(1)的输入端，电感L1的一端与电源Vin连接，电感L1的另一端与输入滤波电容C1串联，输入滤波电容C1的另一端与电源GND连接；

所述RC振荡电路(2)包括振荡电路R1和振荡电路C2，所述振荡电路R1的一端与电感L1的一端连接，另一端同振荡电路C2连接，并与振荡驱动及保护电路(3)中的反馈变压器T1-2主饶组中间抽头连接；

振荡驱动及保护电路(3)中场效应管为N型MOSFET场效应管。

所述振荡驱动及保护电路(3)包括反馈变压器T1-2，原级变压器T1-1，驱动电阻R2，驱动电阻R3，晶体管Q1和晶体管Q2，所述反馈变压器T1-2饶组两端分别于驱动电阻R2和R3的一端连接，驱动电阻R2和R3的另一端分别与晶体管Q1和晶体管Q2的栅极连接，原级变压器T1-1绕组两端分别与Q1的漏极，Q2的源极连接，Q1的源极和Q2的漏极与电源GND连接，保护电路C3两端分别接于Q1，Q2的漏极之间。