[实用新型]等离子处理装置及其法拉第屏蔽装置

权利要求书

1.一种用于射频电感式耦合等离子处理装置的法拉第屏蔽装置，所述等离子体处理装置包括至少一个反应腔室，所述反应腔室包括一绝缘窗口，在所述绝缘窗口上方设置有射频线圈，所述法拉第屏蔽装置设置于所述反应腔室和相对应的射频线圈之间，所述法拉第屏蔽装置上设置有至少一个射频通道，由线圈产生的磁场能够通过所述射频通道耦合到反应腔室内部，其特征在于，所述法拉第屏蔽装置具有第一部分和第二部分，所述第一部分上设置射频通道的密度大于所述第二部分上设置射频通道的密度。

2.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述法拉第屏蔽装置的第一部分对应于所述等离子处理装置内磁场强度最小的第一区域设置。

3.根据权利要求2所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述第一区域包括所对应的线圈密度最小的区域。

4.根据权利要求3所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述射频通道的形状包括：

-径向槽；

-孔。

5.根据权利要求4所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述射频通道的数目以及在所述法拉第屏蔽装置上的分布由所述等离子处理装置内的磁场分布确定。

6.根据权利要求5所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述射频通道占所述法拉第屏蔽装置的面积的取值范围为20%~80%

7.根据权利要求6所述的法拉第屏蔽装置，其特征在于，所述射频通道的形状为径向槽，所述径向槽的长度和宽度的分别为200mm和10mm，其中，所述法拉第屏蔽装置为圆盘形，其直径为500mm。

8.一种射频电感式耦合等离子处理装置，其特征在于，所述等离子处理装置包括权利要求1至7任一项所述的法拉第屏蔽装置。

9.根据权利要求8所述的等离子处理装置，其特征在于，所述等离子处理装置还包括一传感器，其用于检测所述等离子处理装置的反应腔室内部的 磁场强度。

10.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其特征在于，所述等离子处理装置还包括一自动调节装置，其接收来自所述传感器的关于反应腔室内部的磁场强度的感应信号，并根据所述感应信号调整法拉第屏蔽装置的第一部分和第二部分的位置。