[实用新型]一种发酵类制药废水达标排放处理系统有效
申请号: | 201220303856.2 | 申请日: | 2012-06-26 |
公开(公告)号: | CN202744421U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 龚鹏程;边振东;叶宗委;叶进峰 | 申请(专利权)人: | 浙江新世科技股份有限公司 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 赵红英 |
地址: | 310003 浙江省杭州市江干*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发酵 制药 废水 达标 排放 处理 系统 | ||
技术领域
本实用新型属于环保技术领域,特别涉及一种发酵类制药废水达标排放处理系统。
背景技术
发酵类制药主要是通过发酵的方法产生抗生素和其他活性成分,然后再经过分离、纯化、精制等工序生产出药品的过程。在生产过程中会排出大量高有机物的废水,且废水中含有大量抑制生物生长的因子。根据GB21903-2008的标准,发酵类制药废水排放需满足以下要求:COD≦120mg/l;BOD≦40mg/l;氨氮≦35mg/l;废水中残留的抗生素和高浓度有机物使传统的生化处理难以满足新的排放标准,因为残留的抗生素对微生物具有抑制作用,使得后期生化处理效率较低。后期引进高级氧化工艺(芬顿氧化等)存在运行费用高,管理麻烦等弊病,后处理工艺一般都采用的普通厌氧和传统UASB,没有根据发酵类制药废水的特性制定有针对性的工艺改造。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种发酵类制药废水达标排放处理系统。该处理系统反应池处理废水的能力强,运行费用低。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种发酵类制药废水达标排放处理系统,其特征在于:它包括通过管道依次连接的废水调节池、微电解反应池、混凝沉淀池、中间水池、UBF池、一次沉淀池、高负荷好氧生物池及MBR池,调节池废水由提升泵提升至微电解反应池,调节池底部设有穿孔曝气管,并设置自动加酸计量泵,微电解反应池投加双氧水,中间水池设置加酸泵一台。
所述UBF池设有脉冲布水器及内回流装置,UBF池的中部设有酶填料。
所述MBR池内的MBR膜采用抗污染的PVDF中空纤维膜。
本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果:本处理系统通过大量的小试、中试,现已有大量的运用案例在各发酵类制药厂运行。较传统微电解技术,处理效果要提高15%左右,在原有的UASB池基础上增加脉冲布水器、中部酶填料、内回流装置。脉冲布水器能保证反应器死角较少到最少,提高反应器的处理效率;内回流装置能保证污泥处于悬浮状态,提高污泥处理效率,中部酶填料表面带一定的正电荷,能吸附大量的细菌在其表面繁殖生长,这类细菌属于优势细菌,对废水的波动具有较强的适应性;后期生物处理引进MBR膜生物反应器,膜生物反应器的引入,能大幅提高反应池的污泥浓度,一般能提高到10000mg/l,污泥浓度越高,反应池内的微生物含量越高,反应池处理废水的能力就越强。
附图说明
图1为本实用新型结构框图。
具体实施方式
参见图1,一种发酵类制药废水达标排放处理系统,其特征在于:它包括通过管道依次连接的废水调节池1、微电解反应池2、混凝沉淀池3、中间水池4、UBF池5、一次沉淀池6、高负荷好氧生物池7及MBR池8。
车间制药废水首先进入废水调节池1,进行水质水量的调节,调节池1底部设有穿孔曝气管,并设置自动加酸计量泵,使得调节池PH值保证在3-4之间,调节池废水由提升泵提升至微电解反应池2,微电解反应池2投加双氧水,投加比例0.5-1ml/L,使微电解反应池同时发生类芬顿反应。微电解的主要作用是破解废水中的残留抗生素和打断大分子有机物,提供废水的可生物处理性,微电解出水自流进入混凝沉淀池3,去除微电解产生的悬浮物,沉淀出水进入中间水池4,中间水池4设置加酸泵一台,保证PH控制在7.5左右,中间水池4的水由提升泵打入UBF池5,UBF池5是在原UASB池的基础上改进的,在传统UASB的基础上增设有脉冲布水器、内回流装置,中部设有酶填料,改进后的UASB池简称UBF池,改良后的UBF池具有进水均匀,抗冲击能力强,能处理有抑制生物生长的废水,UBF池5出水进入一次沉淀池6,去除老化及系统不正常时的跑泥,沉淀池出水自流进入高负荷好氧生物池7,高负荷好氧生物池主要去除水中大部分的有机物,高负荷好氧生物池的出水自流进入MBR池8,MBR膜采用抗污染的PVDF中空纤维膜,MBR膜出水达到排放标准后直接排放。
工艺特点:
1、工艺预处理采用改良后的类芬顿微电解技术,较传统微电解技术,处理效果要提高15%左右;和高级氧化相比,虽然有机物去除率稍比高级氧化差些,一般差5%左右,但是运行费用远低于高级氧化,工艺控制也比高级氧化简单;
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