[实用新型]高电压兼容输入系统有效
| 申请号： | 201220302366.0 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN202713266U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 谈向阳;陈达华;汪祥文 | 申请（专利权）人： | 深圳市威尔科思技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 广州天河互易知识产权代理事务所(普通合伙) 44294 | 代理人： | 鲍子玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 兼容 输入 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电压兼容输入系统，其特征在于，包括：
降压模块，用于将输入端的电压降至兼容TTL的输入电压范围内；
参考电压源，用于提供参考电压，并且具有电压钳制功能；
模拟比较器，用于确定输入电压的逻辑状态；
所述降压模块、参考电压源和模拟比较器相互电相连。
2.根据权利要求1所述的高电压兼容输入系统，其特征在于：
还包括电平转换器；
所述电平转换器用于调整从所述模拟比较器输出的信号电压达到连接芯片的工作电压水平。
3.根据权利要求1所述的高电压兼容输入系统，其特征在于：
所述降压模块采用电阻和PNP晶体管构成。
4.根据权利要求3所述的高电压兼容输入系统，其特征在于：
所述电阻为多晶电阻或者耐高压电阻。
5.根据权利要求1所述的高电压兼容输入系统，其特征在于：
所述参考电压源采用低交流阻抗的稳压器件。
6.根据权利要求5所述的高电压兼容输入系统，其特征在于：
所述稳压器件为NPN晶体管、MOS管和齐纳二极管中的任意一种。
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