[实用新型]触发电流对称的双向晶闸管有效
| 申请号： | 201220300404.9 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN202736911U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 邵长海;车振华;穆欣宇;王研 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/747 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触发 电流 对称 双向 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种触发电流对称的双向晶闸管，具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P-区（2）上、N+区（4）与门极G相邻处，由主电极MT1与P-区（2）接触区域形成一个直接旁路短路区（3），该直接旁路短路区（3）是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。
2.根据权利要求1所述的触发电流对称的双向晶闸管，其特征在于，管芯为边长0.5mm～15.0mm的方芯。
3.根据权利要求1所述的触发电流对称的双向晶闸管，其特征在于，所述直接旁路短路区（3）的条形长度根据管芯尺寸在0.2~10mm范围内确定。
4.根据权利要求1所述的触发电流对称的双向晶闸管，其特征在于，P-区（2）是硼或者铝经高温扩散形成，厚度为20~60μm；N+区为扩磷区，厚度为5~40μm；P+区（5）是硼或者铝经高温扩散形成，厚度为100~400μm；P+区（5）与P-区（2）由钝化槽（1）相隔，钝化槽（1）由氧化铅玻璃或氧化锌玻璃填充，或者P+区（5）与P-区（2）由N-区向上延伸部分相隔。
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