[实用新型]一种LED封装结构有效
申请号: | 201220298272.0 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN202905713U | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 罗锦长;张嘉显 | 申请(专利权)人: | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/54 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED(Light Emitting Diode)封装结构领域,具体涉及一种可减少光损失,提高光效的LED封装结构。
背景技术
Light Emitting Diode,简称LED,即发光二极管,其作为一种半导体固体发光器件,直接将电能转化为可见光和辐射能,因具有工作电压低、发光效率高、发光响应时间短、节能环保且寿命长等优点,其已在照明光源领域占有十分重要的地位,因此市场需求量也很大。
现有市场上出现了各种不同封装类型的LED,商家为了提高LED芯片的抗静电能力,通常将其与齐纳稳压二极管,即齐纳稳压二极管并联来避免对静电释放造成损伤,但是,在这种结构中,会出现吸光现象,造成LED芯片光效的降低,光损失十分严重,实验表明,串联齐纳稳压二极管与未串联齐纳稳压二极管的LED芯片,其光通量的降低范围大约为1%至10%,因此,如何减少光损失,获得较高光效的LED封装结构成为了目前业内关注的焦点。
实用新型内容
针对上述不足,本实用新型提供一种可有效减少光损失,提高光效的LED封装结构。
为解决上述问题,本实用新型的技术方案为:一种LED封装结构,包括:
一基板,其上设置一用于置放齐纳稳压二极管的凹槽;一LED芯片,安装于所述基板上并与所述齐纳稳压二极管串联后通过导电线将电极引出;一杯型支架,所述基板贯穿设置于该杯型支架中并从基板的两端伸出作为第一金属极和第二金属极,所述LED芯片和齐纳稳压二极管收容于所述杯型支架中;密封物,包括填充于所述凹槽内并覆盖在所述齐纳稳压二极管上的第二封装胶层和填充于所述杯型支架中并覆盖在所述LED芯片上的第一封装胶层;其中,所述齐纳稳压二极管与LED芯片相互独立设置并被所述密封物隔开。
进一步,所述第一金属极和第二金属极彼此隔断,两者分别与外部电源的正、负两极连接,两者的隔断处可用杯型支架的本体进行填充,以确保基板与杯型支架的密封性能。
进一步,所述基板为一凸台结构,所述LED芯片和齐纳稳压二极管位于所述基板的凸 台面上并收容于所述杯型支架中,以进一步提高LED芯片的发光效率。
进一步,所述第一金属极靠近第二金属极的一侧下陷形成所述凹槽,所述齐纳稳压二极管置于该凹槽内。
进一步,所述齐纳稳压二极管以绝缘的方式置于所述凹槽的中心位置并通过导电线连接到所述第一金属极上,以进一步确保LED芯片的发光效率。
进一步,所述凹槽的深度至少大于所述齐纳稳压二极管的高度0.05mm,便于第二封装胶层对其进行密封,同时保证第一金属极上平面的平整。
进一步,所述LED芯片以绝缘方式置于所述第二金属极的上平面并位于所述杯型支架的中心位置,其通过导电线连接到所述第二金属极上。
进一步,所述齐纳稳压二极管位于基板的非中部,即齐纳稳压二极管在基板是的位置无限制,只要其与所述LED芯片隔开即可。
进一步,所述第二封装胶层为不透明胶层,其白度较好。
本实用新型的有益效果为:采用了相互独立布置并采用密封物隔开的LED芯片与齐纳稳压二极管串联结构,在保证LED芯片抗静电能力的同时,有效地减少了光损失,提高整个LED封装结构的光效,其结构简单,生产成本偏低,满足市场对LED封装结构的要求,宜于广泛推广应用。
附图说明
图1为本案中LED封装结构的俯视图。
图2为图1的A-A剖视图。
图3为图1的B-B剖视图。
图中:
1--基板, 2--齐纳稳压二极管, 3—凹槽, 4--LED芯片,
5-导电线, 6-杯型支架, 7-第一封装胶层, 8第二封装胶层,
101--第一金属极,102--第二金属极。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例一:
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